[發明專利]基板處理設備在審
| 申請號: | 202111110321.3 | 申請日: | 2021-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN114256101A | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | 張容碩;樸仁奎 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 鐘錦舜;劉烽 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 設備 | ||
公開了一種基板處理設備。所述基板處理設備包括:轉位單元,所述轉位單元包括負載罐和轉位室,容器安放在所述負載罐中,所述轉位室連接到所述負載罐;以及處理執行單元,所述處理執行單元具有連接到所述轉位室的負載鎖定室和處理傳送到所述負載鎖定室的基板的處理室,所述轉位單元還包括設置在所述轉位室中并且對準傳送到所述處理室的基板型傳感器的對準單元。
背景技術
本文描述的發明概念的實施例涉及一種基板處理設備。
等離子體是指包括離子、自由基和電子的電離氣態。等離子體由非常高的溫度、強電場或射頻(RF)電磁場產生。半導體器件制造工藝可以包括通過使用等離子體去除形成在諸如晶片的基板上的薄膜的蝕刻工藝。當等離子體中包含的離子和/或自由基與基板上的薄膜碰撞或與薄膜反應時,執行蝕刻工藝。
一種使用等離子體的基板處理設備包括真空氛圍的處理室、在處理室中支撐基板的支撐卡盤、以及圍繞安放在支撐卡盤上的基板的外周邊的聚焦環。安裝聚焦環以使等離子體以高均勻度性分布,并且與基板一起用等離子體進行刻蝕。當基板被重復蝕刻時,聚焦環也被蝕刻,使得聚焦環的形狀逐漸改變。其中離子和/或自由基被輸入到基板的方向根據聚焦環的形狀的改變而改變,并且因此基板的蝕刻特性改變。因此,當特定數量或更多的基板被蝕刻或者聚焦環的形狀被改變以偏離可允許范圍時,需要更換聚焦環。
為了更換聚焦環,傳送機器人從處理室中取出經使用的聚焦環并將聚焦環帶入環盒中,然后從環盒中取出新的聚焦環并將聚焦環帶入處理室中。然后,對于傳送機器人來說,將新的聚焦環正確地安放在處理室中的所需位置是很重要的。這是因為當新的聚焦環的位置不合適時,無法正確地執行使用等離子體來處理基板。
因此,為了識別聚焦環是否被正確地安放在處理室中,使用具有類似于在處理室中處理的基板的形狀的晶片型傳感器。晶片型傳感器具有與作為待處理對象的基板相同或略微更大的直徑。因此,晶片型傳感器可以由傳送作為待處理對象的基板的傳送機器人傳送。此外,晶片型傳感器設置有可以獲取處理室的內部中的圖像的圖像獲取模塊(例如,相機等)。因此,當晶片型傳感器帶入處理室中時,晶片型傳感器的圖像獲取模塊可以獲取處理室的內部中的圖像。此外,用戶可以通過由晶片型傳感器獲取的圖像來識別定位在處理室中的聚焦環是否安放在期望的位置。此外,晶片型傳感器用于傳送機器人的自動示教。
以這種方式,為了通過使用晶片型傳感器準確地識別聚焦環的定位位置并精確地執行傳送機器人的自動示教,準確地確保晶片型傳感器的對中是很重要的。例如,將形成在晶片型傳感器中的凹口的位置以及晶片型傳感器定位在傳送手上的位置適當地對準是很重要的。為了實現這一點,通常使用具有使晶片型傳感器的凹口對準或使晶片型傳感器對中的結構的晶片型傳感器專用容器(例如,晶片型傳感器專用前端開口片盒(FOUP))。
然而,在這種情況下,在晶片型傳感器從晶片型傳感器專用容器中取出后其無法被對準。此外,需要單獨制造具有可以對準晶片型傳感器的結構的專用容器。此外,在將專用容器用于處理環境和設施結構不同的基板處理設備的使用中存在限制。
發明內容
本發明構思的實施例提供了一種能夠有效地將基板型傳感器對準的基板處理設備。
本發明構思的實施例還提供了一種能夠對處理室的內部有效地獲取圖像的基板處理設備。
本發明構思的實施例還提供了一種能夠對傳送機器人有效地執行自動示教的基板處理設備。
本發明構思的方面不限于此,并且本領域技術人員根據以下描述能夠清楚地理解本發明的其他未提及的方面。
本發明構思提供了一種基板處理設備。所述基板處理設備包括轉位單元,所述轉位單元包括負載罐和轉位室,容器安放在所述負載罐中,所述轉位室連接到所述負載罐;以及具有連接到所述轉位室的負載鎖定室的處理執行單元和處理傳送到所述負載鎖定室的基板的處理室,所述轉位單元還包括設置在所述轉位室中并且將傳送到所述處理室的基板型傳感器對準的對準單元。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





