[發明專利]體聲波諧振器封裝結構

有效

• 申請號: 202111110239.0
• 申請日: 2021-09-23
• 公開（公告）號: CN113556098B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳新聲半導體有限公司
• 主分類號: H03H9/10
• 分類號: H03H9/10;H03H9/02
• 代理公司: 北京康盛知識產權代理有限公司 11331
• 代理人: 陶俊潔

本申請涉及體聲波諧振器技術領域，公開一種體聲波諧振器封裝結構，包括：諧振器蓋體、體聲波諧振結構、諧振器載體；通過諧振器蓋體上設置有第一凸點下金屬化層、第二凸點下金屬化層；在第一凸點下金屬化層上設置有第一焊錫凸點；在第二凸點下金屬化層上設置有第二焊錫凸點；諧振器載體包括犧牲層、截止邊界層、襯底；截止邊界層位于犧牲層和襯底之間；截止邊界層形成位于犧牲層內的第一凸起和第二凸起，諧振器載體通過第一凸起、第二凸起與體聲波諧振結構圍合形成第二空腔。這樣，通過這種結構限定出來的空腔，不需在硅襯底內形成第二空腔，如此襯底可以選擇完全絕緣的材料，從而避免襯底硅界面的存在而產生寄生導電溝道問題。

技術領域

本申請涉及體聲波諧振器技術領域，例如涉及一種體聲波諧振器封裝結構。

背景技術

隨著通信技術的不斷發展，對濾波器的要求越來越高，體聲波諧振結構利用壓電薄膜的壓電效應，在上、下電極之間施加一個電信號，由于壓電薄膜的壓電效應會產生聲信號，聲信號在電極之間振蕩，聲波分為沿厚度方向的振動模式和橫向振動模式，其中只有滿足聲波全反射條件的沿厚度方向的振動模式的聲波才會被保留下來，橫向振動模式的聲波將被消耗，保留下來的聲信號再轉化為電信號輸出。在使用過程中，需要通過諧振器蓋體對體聲波諧振結構和諧振器載體進行封裝。

現有技術中，諧振器載體中的襯底通常采用硅來制作，并形成空腔，盡管硅襯底是高阻值的硅，但是在某些諧振器結構的硅襯底界面上還是會形成寄生導電溝道，進而由若干個這種諧振器結構組成的濾波器的性能也會受到影響。

發明內容

為了對披露的實施例的一些方面有基本的理解，下面給出了簡單的概括。所述概括不是泛泛評述，也不是要確定關鍵／重要組成元素或描繪這些實施例的保護范圍，而是作為后面的詳細說明的序言。

本公開實施例提供一種體聲波諧振器封裝結構，以能夠抑制體聲波諧振器的寄生導電溝道。

在一些實施例中，體聲波諧振器封裝結構包括：諧振器蓋體，與體聲波諧振結構的一側連接，形成第一空腔；所述諧振器蓋體上未與所述體聲波諧振結構形成所述第一空腔的部分設置有第一通孔和第二通孔；第一金屬層位于所述第一通孔和所述第一通孔外圍的所述諧振器蓋體的表面上；第二金屬層位于所述第二通孔和所述第二通孔外圍的所述諧振器蓋體的表面上；所述第一金屬層穿過所述第一通孔連接所述體聲波諧振結構；所述第二金屬層穿過所述第二通孔連接所述體聲波諧振結構；位于所述第一通孔外圍的所述諧振器蓋體的表面上的第一金屬層上設置有第一凸點下金屬化層；位于所述第二通孔外圍的所述諧振器蓋體的表面上的第二金屬層上設置有第二凸點下金屬化層；在所述第一凸點下金屬化層上設置有第一焊錫凸點；在所述第二凸點下金屬化層上設置有第二焊錫凸點；所述體聲波諧振結構，另一側與諧振器載體連接；所述諧振器載體，所述諧振器載體包括犧牲層、截止邊界層和襯底；所述截止邊界層位于所述犧牲層和所述襯底之間；所述截止邊界層形成位于所述犧牲層內的第一凸起和第二凸起，所述諧振器載體通過所述第一凸起、所述第二凸起與所述體聲波諧振結構圍合形成第二空腔。

本公開實施例提供的體聲波諧振器封裝結構，可以實現以下技術效果：

通過諧振器蓋體上設置有第一通孔、第二通孔，第一金屬層、第二金屬層，位于第一通孔外圍的諧振器蓋體的表面上的第一金屬層上設置有第一凸點下金屬化層；位于第二通孔外圍的諧振器蓋體的表面上的第二金屬層上設置有第二凸點下金屬化層；在第一凸點下金屬化層上設置有第一焊錫凸點；在第二凸點下金屬化層上設置有第二焊錫凸點；諧振器載體包括犧牲層、截止邊界層、襯底；截止邊界層位于犧牲層和襯底之間；截止邊界層形成位于犧牲層內的第一凸起和第二凸起，諧振器載體通過第一凸起、第二凸起與體聲波諧振結構圍合形成第二空腔。這樣，通過這種結構限定出來的空腔，不需像傳統體聲波諧振器那樣在硅襯底內形成第二空腔，如此襯底可以靈活選擇硅材料以外的完全絕緣的材料，從而避免襯底硅界面的存在而產生寄生導電溝道問題，進而由若干個該體聲波諧振器構成的濾波器的性能得到提升。

以上的總體描述和下文中的描述僅是示例性和解釋性的，不用于限制本申請。