[發(fā)明專利]體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111110239.0
• 申請日: 2021-09-23
• 公開（公告）號: CN113556098B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳新聲半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H03H9/10
• 分類號: H03H9/10;H03H9/02
• 代理公司: 北京康盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331
• 代理人: 陶俊潔

1.一種體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

諧振器蓋體，與體聲波諧振結(jié)構(gòu)的一側(cè)連接，形成第一空腔；所述諧振器蓋體上未與所述體聲波諧振結(jié)構(gòu)形成所述第一空腔的部分設(shè)置有第一通孔和第二通孔；第一金屬層位于所述第一通孔和所述第一通孔外圍的所述諧振器蓋體的表面上；第二金屬層位于所述第二通孔和所述第二通孔外圍的所述諧振器蓋體的表面上；所述第一金屬層穿過所述第一通孔連接所述體聲波諧振結(jié)構(gòu)；所述第二金屬層穿過所述第二通孔連接所述體聲波諧振結(jié)構(gòu)；位于所述第一通孔外圍的所述諧振器蓋體的表面上的第一金屬層上設(shè)置有第一凸點(diǎn)下金屬化層；位于所述第二通孔外圍的所述諧振器蓋體的表面上的第二金屬層上設(shè)置有第二凸點(diǎn)下金屬化層；在所述第一凸點(diǎn)下金屬化層上設(shè)置有第一焊錫凸點(diǎn)；在所述第二凸點(diǎn)下金屬化層上設(shè)置有第二焊錫凸點(diǎn)；

所述體聲波諧振結(jié)構(gòu)，另一側(cè)與諧振器載體連接；

所述諧振器載體，所述諧振器載體包括犧牲層、截止邊界層和襯底；所述截止邊界層位于所述犧牲層和所述襯底之間；所述截止邊界層形成位于所述犧牲層內(nèi)的第一凸起和第二凸起，所述諧振器載體通過所述第一凸起、所述第二凸起與所述體聲波諧振結(jié)構(gòu)圍合形成第二空腔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述諧振器蓋體形成有凹槽；所述諧振器蓋體通過所述凹槽與所述體聲波諧振結(jié)構(gòu)形成所述第一空腔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述諧振器蓋體包括：

蓋板，通過第一鍵合層與所述體聲波諧振結(jié)構(gòu)連接；

所述第一鍵合層，被限定為中空結(jié)構(gòu)，所述第一鍵合層的中空部分被限定為所述諧振器蓋體的凹槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述體聲波諧振結(jié)構(gòu)，包括：

氮化鋁層，設(shè)置有第三通孔；

第一導(dǎo)通層，通過所述第三通孔連接上電極層；所述第一金屬層穿過所述第一通孔與所述第一導(dǎo)通層連接；

所述上電極層，位于所述氮化鋁層與壓電層之間；

所述壓電層，一端與所述上電極層連接，所述壓電層的另一端暴露于所述上電極層外，所述壓電層未與所述上電極層接觸的部分設(shè)置有第四通孔；

第二導(dǎo)通層，通過所述第四通孔連接下電極層；所述第二金屬層穿過所述第二通孔與所述第二導(dǎo)通層連接；

所述下電極層，位于所述壓電層遠(yuǎn)離所述上電極層的一側(cè)，所述壓電層的一端與所述下電極層連接，所述壓電層的另一端暴露于所述下電極層外；所述壓電層遠(yuǎn)離所述上電極層的一側(cè)且未與所述下電極層接觸的部分，連接所述犧牲層和所述第一凸起；

下電極邊緣凸點(diǎn)層，位于所述下電極層與第一鈍化層之間；

所述第一鈍化層部分置于所述下電極層下，部分置于所述下電極邊緣凸起層下，所述第一鈍化層連接所述犧牲層和所述第二凸起。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述諧振器載體還包括第二鍵合層；所述第二鍵合層位于所述截止邊界層與所述襯底之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二鍵合層由二氧化硅、氮化硅或有機(jī)膜材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述諧振器蓋體還包括第二鈍化層；所述第二鈍化層位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述諧振器蓋體的一側(cè)、所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述諧振器蓋體的一側(cè)和與所述第一金屬層和所述第二金屬層均不接觸的所述諧振器蓋體的表面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一鍵合層由二氧化硅、氮化硅、有機(jī)膜材料和硅酸乙酯中的一種或多種制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的體聲波諧振器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述蓋板由硅、碳硅、氧化鋁或二氧化硅制成。