[發明專利]一種去除繞鍍的方法及其應用

在審

• 申請號: 202111109829.1
• 申請日: 2021-09-18
• 公開（公告）號: CN113838950A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 陳鵬輝;胡玉婷
• 申請（專利權）人: 東方日升（常州）新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0216;H01L21/311
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 付興奇

1.一種去除繞鍍的方法，其特征在于，包括：

在加熱條件下，采用鏈式氧化的方式在待處理材料的背面生長氧化硅；所述待處理材料為背面形成了N型鈍化層的襯底；

用第一酸液對生長在所述待處理材料的正面繞鍍區域的氧化硅進行去除，并使得正面非繞鍍區域的硼硅玻璃部分保留；

用堿液對所述待處理材料的正面進行去繞鍍處理；以及

用第二酸液對生長在所述待處理材料的背面的氧化硅以及所述待處理材料正面剩余硼硅玻璃進行去除。

2.根據權利要求1所述的去除繞鍍的方法，其特征在于，在所述采用鏈式氧化的方式在待處理材料的背面生長氧化硅步驟中，

在所述待處理材料的背面生長的氧化硅的厚度為4～12nm。

3.根據權利要求2所述的去除繞鍍的方法，其特征在于，在所述采用鏈式氧化的方式在待處理材料的背面生長氧化硅步驟中，

加熱溫度為450～800℃，氧氣的通入速度為30～300L/min，運輸帶速為2～4m/min，運輸行程為5～10m。

4.根據權利要求1～3任一項所述的去除繞鍍的方法，其特征在于，在所述用第一酸液對生長在所述待處理材料的正面的氧化硅進行去除步驟中，

將所述待處理材料的正面朝下進行鏈式單面HF刻蝕。

5.根據權利要求4所述的去除繞鍍的方法，其特征在于，在所述用第一酸液對生長在所述待處理材料的正面的氧化硅進行去除步驟中，

所述第一酸液為濃度為10～40％的HF酸液，運輸帶速為1～4m/min。

6.根據權利要求1～3任一項所述的去除繞鍍的方法，其特征在于，在所述用堿液對所述待處理材料的正面進行去繞鍍處理的步驟中，

采用槽式堿拋機設備，將所述待處理材料浸入所述堿液中進行刻蝕。

7.根據權利要求6所述的去除繞鍍的方法，其特征在于，在所述用堿液對所述待處理材料的正面進行去繞鍍處理的步驟中，

所述堿液為濃度為5～30％的KOH溶液，處理溫度為60～80℃，處理時間為100～350s。

8.根據權利要求1～3任一項所述的去除繞鍍的方法，其特征在于，在所述用第二酸液對生長在所述待處理材料的背面的氧化硅以及所述待處理材料正面剩余硼硅玻璃進行去除的步驟中，

所述第二酸液為濃度為15～45％的HF酸液，處理時間為180～400s。

9.一種如權利要求1～8任一項所述的去除繞鍍的方法在制備電池片的工藝中的應用。

10.根據權利要求9所述的應用，其特征在于，制備步驟包括：

將襯底制絨；

對制絨的所述襯底進行硼擴散，制作PN結；

將非硼擴面作為背面，將背面進行鏈式單面HF刻蝕去除氧化層，并堿拋的完成背面及邊緣的PN結刻蝕及P型硅刻蝕使上下表面絕緣；

在背面生長隧穿氧化層；

在所述隧穿氧化層上沉積非晶硅，并用原位摻雜的方式完成磷摻雜；

對所述非晶硅進行高溫激活，得到所述待處理材料；

實施所述去除繞鍍的方法；

在正面沉積氧化鋁薄膜；

在兩側表面形成氮化硅膜；以及

印刷形成電極和線路。