[發明專利]一種去除繞鍍的方法及其應用

在審

• 申請號: 202111109829.1
• 申請日: 2021-09-18
• 公開（公告）號: CN113838950A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 陳鵬輝;胡玉婷
• 申請（專利權）人: 東方日升（常州）新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0216;H01L21/311
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 付興奇

本申請提供一種去除繞鍍的方法及其應用，屬于太陽能電池制備技術領域。去除繞鍍的方法包括：在加熱條件下，采用鏈式氧化的方式在待處理材料的背面生長氧化硅；待處理材料的背面形成N型鈍化層后的襯底；用第一酸液對生長在待處理材料的正面繞鍍區域的氧化硅進行去除，并使得正面非繞鍍區域的硼硅玻璃部分保留；用堿液對待處理材料的正面進行去繞鍍處理；以及用第二酸液對生長在待處理材料的背面的氧化硅以及待處理材料正面剩余硼硅玻璃進行去除。其能提高去除繞鍍的效率，去除繞鍍的工藝簡單、成本較低，且能避免造成電池的效率下降。

技術領域

本申請涉及太陽能電池制備技術領域，具體而言，涉及一種去除繞鍍的方法及其應用。

背景技術

隨著傳統資源的日益枯竭，太陽能電池作為新型可替代能源，以其自身綠色、安全及可再生能力的優勢得到了長足發展。在目前的太陽能電池光伏發電應用中，N型電池以更高的發電效率受到了行業的熱捧；其中，N型TOPCon電池(隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池)已經陸續量產。在制作N型TOPCon電池的工藝中，有一步關鍵工藝，即形成N型鈍化層的非晶硅沉積。

在現有技術中，不論是采用LPCVD(低壓力化學氣相沉積法)還是采用PECVD(等離子體增強化學的氣相沉積法)沉積非晶硅，通常都會在電池的正面和邊緣留下繞鍍，從而會造成電池漏電較大的現象。

目前的一些研究中，在制作TOPCon電池時，為了解決漏電問題，一種方式是采用離子注入法進行擴散法的代替，避免在襯底的邊緣和正面形成擴散層，進而避免漏電問題出現，但是離子注入方式成本高且產能低；又一種方式是采用激光切割的方式，在襯底的正面或者背面的四邊按環形圖案進行切割，以避免正背面的電子空穴對復合，該種方式造成成本提高的同時，還會導致電池的效率下降。

發明內容

本申請的目的在于提供一種去除繞鍍的方法及其應用，能提高去除繞鍍的效率，去除繞鍍的工藝簡單、成本較低，且能避免造成電池的效率下降。

本申請的實施例是這樣實現的：

第一方面，本申請實施例提供一種去除繞鍍的方法，包括：

在加熱條件下，采用鏈式氧化的方式在待處理材料的背面生長氧化硅；待處理材料的背面形成N型鈍化層后的襯底；

用第一酸液對生長在待處理材料的正面繞鍍區域的氧化硅進行去除，并使得正面非繞鍍區域的硼硅玻璃部分保留；

用堿液對待處理材料的正面進行去繞鍍處理；以及

用第二酸液對生長在待處理材料的背面的氧化硅以及待處理材料正面剩余硼硅玻璃進行去除。

第二方面，本申請實施例提供一種如第一方面實施例提供的去除繞鍍的方法在制備電池片的工藝中的應用。

本申請實施例提供的去除繞鍍的方法及其應用，有益效果包括：

本申請的去除繞鍍的方法，在待處理材料的背面生長氧化硅作為掩膜，能有效保護待處理材料的背面結構，避免造成電池的效率下降。采用鏈式氧化的方式生長氧化硅，采用堿液刻蝕實現對待處理材料的正面的去繞鍍處理，其工作效率高、工藝簡單、成本較低，且適合批量化自動化生產。

具體實施方式

為使本申請實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。實施例中未注明具體條件者，按照常規條件或制造商建議的條件進行。所用試劑或儀器未注明生產廠商者，均為可以通過市售購買獲得的常規產品。

另外，在本申請的描述中，除非另有說明，“一種或多種”中的“多種”的含義是指兩種及兩種以上；“數值a～數值b”的范圍包括兩端值“a”和“b”，“數值a～數值b+計量單位”中的“計量單位”代表“數值a”和“數值b”二者的“計量單位”。

下面對本申請實施例的去除繞鍍的方法及其應用進行具體說明。