[發明專利]一種含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的制備及缺陷測試方法

在審

• 申請號: 202111109074.5
• 申請日: 2021-09-22
• 公開（公告）號: CN113654866A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 王肖義;李瑞佼;段亞偉
• 申請（專利權）人: 河北光興半導體技術有限公司;東旭科技集團有限公司;東旭光電科技股份有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28;G01N1/32;G01N23/225;G01N23/227
• 代理公司: 北京英創嘉友知識產權代理事務所(普通合伙) 11447
• 代理人: 耿超

本公開涉及一種含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的制備及缺陷測試方法，該方法包括對含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的切割、對含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品切割面的研磨拋光和腐蝕以及對含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的缺陷測試；該方法通過傾斜切割、用腐蝕劑腐蝕切割面，使得接近切割面的缺陷部位能夠暴露，缺陷更容易被發現，進而更容易被測試。另外，該方法利用能譜儀快速分析，并結合電子探針精確的定性分析，可以高效、準確、快捷的確定缺陷成分。

技術領域

本公開涉及材料性能測試領域，具體地，涉及一種含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的制備及缺陷測試方法。

背景技術

隨著顯示效果的不斷提升，顯示技術的快速發展，對薄與超薄玻璃的各項性能也相應的提高。鉑金通道是玻璃基板、柔性超薄玻璃等制品的重要設備，在生產過程中起到澄清、均化、流量控制等重要作用。在該過程中，由于高溫使用環境等原因，不可避免的在玻璃制品中產生少量鉑銠缺陷，如鉑銠顆粒(三維缺陷)、規則形鉑銠缺陷(二維缺陷如三角形、四邊形、六邊形；一維缺陷如針狀、棒狀)等。

缺陷的成分測試是對策的關鍵，但在鉑銠缺陷成分測試時，一維缺陷的樣品制備、成分測試存在如下問題：

成分測試常用電子探針或能譜儀，需將缺陷暴露才能進行測試；而對于一維缺陷，當垂直于缺陷切割時，缺陷裸露呈微米級點狀，在顯微系統下難以發現缺陷，因高倍下影像漂移等問題，測試選區或選點難度更是大大增加。

發明內容

本公開的目的是提供一種含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的制備及缺陷測試方法，該方法可以準確尋找并針對性測試缺陷區域，快速、便捷，該方法不僅適用于薄玻璃產品，還適用于其他厚度的玻璃或研發過程中的玻璃樣品。

為了實現上述目的，本公開的第一方面提供一種含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的制備方法，該制備方法包括如下步驟：

S1、含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的切割：觀察玻璃產品中所述微米級一維鉑銠缺陷的形貌、尺寸，確定所述微米級一維鉑銠缺陷的位置，以切割線與所述微米級一維鉑銠缺陷呈α的角度進行切割，得到含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品；S2、含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品切割面的研磨拋光：將所述含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的切割面進行先研磨后拋光至鏡面級；S3、含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品切割面的腐蝕：采用腐蝕劑對所述鏡面級切割面進行腐蝕。

可選地，在步驟S1中，所述α的范圍為0-30°，優選為0-15°。

可選地，在步驟S2中，所述研磨采用砂紙進行研磨，所述拋光使用稀釋的氧化鈰在拋光布上進行拋光。

可選地，在步驟S2中，所述研磨拋光還包括在研磨拋光后觀察所述切割面的形貌，所述研磨拋光后的含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品切割面呈斷點狀或拖尾狀。

可選地，在步驟S3中，所述腐蝕劑包括稀釋的HF或NaOH。

可選地，當采用所述稀釋的HF腐蝕時，所述HF的濃度為10-30％，腐蝕溫度為20-50℃。

可選地，當采用所述稀釋的NaOH腐蝕時，所述NaOH的濃度為5-15，腐蝕溫度為40-50℃。

本公開第二方方面提供一種含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的缺陷測試方法，所述測試方法包括利用噴涂儀對所述含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的切割面進行噴碳處理。

可選地，所述噴碳處理的噴碳厚度為10-30nm。

可選地，所述測試方法還包括將所述含有微米級一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品置于電子探針或能譜儀樣品室中，觀察顯微形貌并進行成分測試。