[發(fā)明專利]一種含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的制備及缺陷測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111109074.5
• 申請(qǐng)日: 2021-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN113654866A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王肖義;李瑞佼;段亞偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河北光興半導(dǎo)體技術(shù)有限公司;東旭科技集團(tuán)有限公司;東旭光電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N1/28
• 分類號(hào): G01N1/28;G01N1/32;G01N23/225;G01N23/227
• 代理公司: 北京英創(chuàng)嘉友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11447
• 代理人: 耿超

1.一種含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的制備方法，其特征在于，該制備方法包括如下步驟：

S1、含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的切割：觀察玻璃產(chǎn)品中所述微米級(jí)一維鉑銠缺陷的形貌、尺寸，確定所述微米級(jí)一維鉑銠缺陷的位置，以切割線與所述微米級(jí)一維鉑銠缺陷呈α的角度進(jìn)行切割，得到含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品；

S2、含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品切割面的研磨拋光：將所述含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的切割面進(jìn)行先研磨后拋光至鏡面級(jí)；

S3、含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品切割面的腐蝕：采用腐蝕劑對(duì)所述鏡面級(jí)切割面進(jìn)行腐蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，在步驟S1中，所述α的范圍為0-30°，優(yōu)選為0-15°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，在步驟S2中，所述研磨采用砂紙進(jìn)行研磨，所述拋光使用稀釋的氧化鈰在拋光布上進(jìn)行拋光。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，在步驟S2中，所述研磨拋光還包括在研磨拋光后觀察所述切割面的形貌，所述研磨拋光后的含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品切割面呈斷點(diǎn)狀或拖尾狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，在步驟S3中，所述腐蝕劑包括稀釋的HF或NaOH。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其中，當(dāng)采用所述稀釋的HF腐蝕時(shí)，所述HF的濃度為10-30％，腐蝕溫度為20-50℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其中，當(dāng)采用所述稀釋的NaOH腐蝕時(shí)，所述NaOH的濃度為5-15％，腐蝕溫度為40-50℃。

8.一種含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的缺陷測(cè)試方法，其特在于，所述測(cè)試方法包括利用噴涂?jī)x對(duì)所述含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品的切割面進(jìn)行噴碳處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其中，所述噴碳處理的噴碳厚度為10-30nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其中，所述測(cè)試方法還包括將所述含有微米級(jí)一維鉑銠缺陷的薄玻璃樣品置于電子探針或能譜儀樣品室中，觀察顯微形貌并進(jìn)行成分測(cè)試。