[發(fā)明專利]基于可調(diào)空間的金屬化薄膜蒸鍍裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111108540.8 | 申請日: | 2021-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN113930740A | 公開(公告)日: | 2022-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉同林;汪秀義 | 申請(專利權(quán))人: | 銅陵市超越電子有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56;C23C14/20;C23C14/24 |
| 代理公司: | 合肥東信智谷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34143 | 代理人: | 朱韓軍 |
| 地址: | 244000 安徽省銅陵市獅子山*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 可調(diào) 空間 金屬化 薄膜 裝置 | ||
本發(fā)明提供了基于可調(diào)空間的金屬化薄膜蒸鍍裝置,包括殼體,所述殼體內(nèi)設(shè)置為蒸鍍腔,所述蒸鍍腔的底部設(shè)置有蒸鍍臺,頂部設(shè)置有基板,所述蒸鍍臺上設(shè)置有蒸鍍源,蒸鍍源用于將蒸鍍物質(zhì)加熱形成蒸鍍蒸汽沉積在基板上的薄膜上;所述蒸鍍腔的側(cè)壁設(shè)置有擋塊,所述擋塊一端與殼體連接,調(diào)節(jié)擋塊凸出于殼體的體積改變蒸鍍腔的空間大?。槐景l(fā)明的有益效果:調(diào)節(jié)擋塊凸出于殼體的體積來改變蒸鍍腔的空間大小,蒸鍍腔在適用于不同薄膜進(jìn)行蒸鍍時(shí)需要的蒸鍍面積不等,調(diào)節(jié)蒸鍍腔的體積,蒸鍍腔體積降低,抽真空體積降低,降低了抽真空成本;將蒸發(fā)的金屬蒸汽集中在較為狹小的空間,使其沉積在薄膜上的占比更多,降低金屬蒸汽的損耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及金屬化薄膜技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及基于可調(diào)空間的金屬化薄膜蒸鍍裝置。
背景技術(shù)
蒸鍍,該方法是將材料在真空環(huán)境中加熱,使之氣化并沉積到基片而獲得薄膜材料的方法,又稱為真空蒸鍍或真空鍍膜。
金屬化薄膜電容是以有機(jī)塑料薄膜做介質(zhì),以金屬化薄膜做電極,通過卷繞方式(疊片結(jié)構(gòu)除外)制成的電容,金屬化薄膜電容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等。
金屬化薄膜在加工制備時(shí),需要用到蒸鍍裝置,蒸鍍裝置內(nèi)設(shè)置有蒸鍍腔,蒸鍍腔內(nèi)設(shè)置有蒸鍍臺和基板,蒸鍍臺上的蒸鍍源將蒸鍍物質(zhì)加熱形成蒸鍍蒸汽沉積在基板上的薄膜上,在蒸鍍過程中,需要將蒸鍍腔抽真空;而現(xiàn)有技術(shù)中,蒸鍍腔的空間恒定,在生產(chǎn)不同的金屬化薄膜時(shí),會造成空間上的浪費(fèi),特別是抽真空的成本比較高,因此設(shè)計(jì)一款能夠調(diào)節(jié)蒸鍍腔體積的蒸鍍裝置非常有必要。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了基于可調(diào)空間的金屬化薄膜蒸鍍裝置。
本發(fā)明通過以下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)解決上述技術(shù)問題的:
基于可調(diào)空間的金屬化薄膜蒸鍍裝置,包括殼體,所述殼體內(nèi)設(shè)置為蒸鍍腔,所述蒸鍍腔的底部設(shè)置有蒸鍍臺,頂部設(shè)置有基板,所述蒸鍍臺上設(shè)置有蒸鍍源,蒸鍍源用于將蒸鍍物質(zhì)加熱形成蒸鍍蒸汽沉積在基板上的薄膜上;所述蒸鍍腔的側(cè)壁設(shè)置有調(diào)節(jié)蒸鍍腔空間大小的擋塊,所述擋塊一端與殼體密封連接,通過調(diào)節(jié)擋塊靠近蒸鍍腔一側(cè)凸出于殼體的體積來改變蒸鍍腔的空間大小。
作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述擋塊至少設(shè)置有兩個(gè),均勻分布在蒸鍍腔的側(cè)壁。
作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述殼體上設(shè)置有調(diào)節(jié)孔,所述調(diào)節(jié)孔遠(yuǎn)離擋塊一端設(shè)置有調(diào)節(jié)板,所述調(diào)節(jié)板與調(diào)節(jié)孔的內(nèi)壁連接,所述調(diào)節(jié)板上設(shè)置有螺紋孔,所述螺紋孔內(nèi)設(shè)置有與之配合的螺紋桿,所述螺紋桿靠近蒸鍍腔一端與擋塊轉(zhuǎn)動連接。
作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述擋塊側(cè)壁設(shè)置有臺階部,所述調(diào)節(jié)孔內(nèi)壁設(shè)置有對臺階部進(jìn)行限位的配合部,所述臺階部與配合部相對的一側(cè)設(shè)置有密封圈。
作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述擋塊上的臺階部設(shè)置有多個(gè),所述配合部的數(shù)量與臺階部相等,且一一對應(yīng)配合,所述殼體上設(shè)置有滑動槽,所述滑動槽的數(shù)量與配合部相等,所述配合部沿滑動槽滑動裝配到位,對擋塊上相應(yīng)的臺階部進(jìn)行限位。
作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述擋塊設(shè)置為長方體,調(diào)節(jié)擋塊凸出于殼體的體積時(shí),靠近蒸鍍源一側(cè)用于調(diào)節(jié)蒸鍍源的金屬蒸汽蒸發(fā)面積,所述擋塊靠近基板一側(cè)用于調(diào)節(jié)薄膜的蒸鍍面積;所述蒸鍍源與蒸鍍臺滑動連接,用于調(diào)節(jié)蒸鍍源被擋塊擋住的面積,進(jìn)而調(diào)節(jié)金屬蒸汽蒸發(fā)面積。
本發(fā)明的有益效果:通過調(diào)節(jié)擋塊靠近蒸鍍腔一側(cè)凸出于殼體的體積來改變蒸鍍腔的空間大小,從而使得蒸鍍腔在適用于不同金屬化薄膜進(jìn)行蒸鍍時(shí),需要的蒸鍍面積不等,來調(diào)節(jié)蒸鍍腔的體積,在蒸鍍腔的體積降低時(shí),需要抽真空的體積降低,從而降低了蒸鍍腔抽真空的成本;并且將蒸發(fā)的金屬蒸汽集中在較為狹小的空間,使其沉積在薄膜上的占比更多,降低金屬蒸汽的損耗。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例所述基于可調(diào)空間的金屬化薄膜蒸鍍裝置在蒸鍍腔空間最小時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于銅陵市超越電子有限公司,未經(jīng)銅陵市超越電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111108540.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





