[發明專利]一種信息處理方法、裝置、介質、校正器、模組及設備

在審

• 申請號: 202111105461.1
• 申請日: 2021-09-22
• 公開（公告）號: CN113917790A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 敖振宇;曾鼎程;胡展源
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

本發明屬于微電子技術領域，尤其涉及一種信息處理方法、裝置、介質、校正器、模組及設備。基于光鄰近效應的仿真和校正，通過對工藝參數的預處理，使得相關的測試過程的效率提高、失效率降低，該方法對于光刻工藝窗口較窄的應用場景，有較強的適應性，在預設的焦距能量矩陣范圍內，提升了信息獲取的效率。

技術領域

本發明屬于微電子技術領域，尤其涉及一種信息處理方法、裝置、介質、校正器、模組及設備。

背景技術

由于光鄰近效應（Proximity Effect）的存在，掩膜版明暗交界區域圖形分辨率的提高面臨諸多技術問題，當圖形物理尺寸進一步減小并與光線波長相當時，這一問題尤為突出。

發明人研究發現，在進行顯微觀測時，以版圖信息作為觀測設備的腳本往往難以克服光鄰近效應帶來的影響，進而導致觀測失效。

如圖18-20所示，是現有技術中量測失效的示例，將結合本發明內容做對比說明。

發明內容

本發明公開了一種工藝信息處理方法，目的在于提高測試腳本的創建效率，降低相關測量的失效率。

通過獲取第一工藝數據和第二工藝數據，完成系統的初始化，為后續測量提供基礎數據支撐；其中：第一工藝數據包括第一版圖數據；第一版圖數據為預設的工藝數據，第一版圖數據包括第一圖形數據。

在半導體的加工制程中，第一圖形數據經圖形化工藝轉移到晶圓內和/或晶圓表面；而第二工藝數據包括第一觀測數據；第一觀測數據由觀測和/或顯微觀測獲得，第一觀測數據包括第二圖形數據；第二圖形數據是第一圖形數據轉移到晶圓內和/或晶圓表面后，經觀測和/或顯微觀測獲得。

為了克服鄰近效應產生的畸變，通過構造第一圖形數據的第一仿真數據來實現量測腳本的優化：將第一仿真數據按照預設轉換方法由第一圖形數據轉化而來；或者按照鄰近效應校正算法、規則和/或經驗數據，由第一圖形數據轉換而來。

其中，鄰近效應校正算法、規則和/或經驗用于模擬和/或補償第一圖形數據在光刻中的畸變。

為了提升本發明方法的適用性，滿足不同光刻工藝窗口（Process Window）對圖像、圖形分辨率（Image Resolution）的要求，通過調整觀測數據的顯微觀測條件，即光能和/或光焦條件，來擴充相關數據測試樣本。

進一步地，以臨近效應模型和/或光刻膠模型為依據，獲取第一版圖數據的仿真圖形和/或圖像；刷新第二工藝數據；并完成本發明方法的其它相關或必要步驟。

進一步地，通過獲取量測區域的待測數據，合并第一工藝數據與第二工藝數據獲得第三工藝數據；其中，待測數據包括量測區域的一維特征信息，合并部分具有相同的數據結構、維度和/或類型。

通過比較第一仿真數據與所述第一觀測數據；可以驗證相關校正算法的有效性；其中，還包括第三圖形數據；該第三圖形數據是將第一仿真數據與第一觀測數據中的第二圖形數據疊加得到的；根據第一仿真數據選取第一觀測數據的量測區域，以便完成相應的量測。

具體地，以第一仿真數據作為腳本，指示相關執行機構、觀測設備執行相關的測量和/或分析。

進一步地，根據調整后的觀測條件，構造焦距能量矩陣FEM；根據焦距能量矩陣FEM獲取對應于焦距能量矩陣FEM各觀測條件的量測區域，并完成其它相關步驟。

具體地，本方法適用于采用掃描電鏡在內的顯微觀測方法或制程，可以用于改進相關測試腳本的獲取和優化。

其中，以第一工藝數據為量測腳本，在掃描電鏡中收取量測數據及影像；掃描電鏡采用預設的標準設計尺寸，例如DG（Design Gauge）作為腳本，構建光刻鄰近校正模型。