[發(fā)明專利]一種信息處理方法、裝置、介質(zhì)、校正器、模組及設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111105461.1 | 申請日: | 2021-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN113917790A | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 敖振宇;曾鼎程;胡展源 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 信息處理 方法 裝置 介質(zhì) 校正 模組 設(shè)備 | ||
1.一種工藝信息處理方法,其特征在于包括:
獲取第一工藝數(shù)據(jù);所述第一工藝數(shù)據(jù)包括第一版圖數(shù)據(jù);
所述第一版圖數(shù)據(jù)為預(yù)設(shè)的工藝數(shù)據(jù),所述第一版圖數(shù)據(jù)包括第一圖形數(shù)據(jù)(10、101、102、103、104),所述第一圖形數(shù)據(jù)(10、101、102、103、104)經(jīng)圖形化工藝轉(zhuǎn)移到晶圓內(nèi)和/或晶圓表面;
獲取第二工藝數(shù)據(jù);所述第二工藝數(shù)據(jù)包括第一觀測數(shù)據(jù);
所述第一觀測數(shù)據(jù)由觀測和/或顯微觀測獲得,所述第一觀測數(shù)據(jù)包括第二圖形數(shù)據(jù)(11、111、112、113、114) ;所述第二圖形數(shù)據(jù)(11、111、112、113、114)是所述第一圖形數(shù)據(jù)(10、101、102、103、104)轉(zhuǎn)移到所述晶圓內(nèi)和/或所述晶圓表面后,經(jīng)觀測和/或顯微觀測獲得的;
構(gòu)造所述第一圖形數(shù)據(jù)(10、101、102、103、104)的第一仿真數(shù)據(jù)(20,201,202、203、204);所述第一仿真數(shù)據(jù)(20,201,202、203、204)按照預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)換方法由所述第一圖形數(shù)據(jù)(10、101、102、103、104)獲得或按照鄰近效應(yīng)校正算法、規(guī)則和/或經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù),由所述第一圖形數(shù)據(jù)(10、101、102、103、104)轉(zhuǎn)換而來;所述鄰近效應(yīng)校正算法、規(guī)則和/或經(jīng)驗(yàn)用于模擬和/或補(bǔ)償所述第一圖形數(shù)據(jù)(10、101、102、103、104)在光刻中的畸變。
2.如權(quán)利要求1所述的信息處理方法,其特征還在于:
調(diào)整所述觀測數(shù)據(jù)的顯微觀測條件;所述觀測條件包括光能和/或光焦條件;
以臨近效應(yīng)模型和/或光刻膠模型為依據(jù),獲取所述第一版圖數(shù)據(jù)的仿真圖形和/或圖像;
刷新所述第二工藝數(shù)據(jù);并完成如權(quán)利要求1所述的其它相關(guān)或必要步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的信息處理方法,其特征還在于:
獲取所述量測區(qū)域的待測數(shù)據(jù);所述待測數(shù)據(jù)包括所述量測區(qū)域的一維特征信息;
合并所述第一工藝數(shù)據(jù)與所述第二工藝數(shù)據(jù)獲得第三工藝數(shù)據(jù);其中,合并部分具有相同的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、維度和/或類型。
4.如權(quán)利要求3所述的信息處理方法,還包括:
比較所述第一仿真數(shù)據(jù)(20,201,202、203、204)與所述第一觀測數(shù)據(jù);
其中,還包括第三圖形數(shù)據(jù)(30、301、302、303、304);所述第三圖形數(shù)據(jù)(30、301、302、303、304)是將所述第一仿真數(shù)據(jù)(20,201,202、203、204)與所述第一觀測數(shù)據(jù)中的第二圖形數(shù)據(jù)(11、111、112、113、114)疊加得到的;
根據(jù)所述第一仿真數(shù)據(jù)(20,201,202、203、204)選取所述第一觀測數(shù)據(jù)的量測區(qū)域;包括,以所述第一仿真數(shù)據(jù)(20,201,202、203、204)作為腳本,指示相關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)、觀測設(shè)備執(zhí)行相關(guān)的測量和/或分析。
5.如權(quán)利要求1-4的任一所述的信息處理方法,還包括:
根據(jù)調(diào)整后的所述觀測條件,構(gòu)造焦距能量矩陣FEM(90、91、92、93、94、95);
根據(jù)所述焦距能量矩陣FEM(90、91、92、93、94、95),獲取對應(yīng)于所述焦距能量矩陣FEM(90、91、92、93、94、95)各觀測條件的所述量測區(qū)域(3、31、32、33、34);并完成如權(quán)利要求1所述的其它相關(guān)步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的信息處理方法,其中:
所述顯微觀測包括采用掃描電鏡進(jìn)行觀測;
以所述第一工藝數(shù)據(jù)為量測腳本,在所述掃描電鏡中收取量測數(shù)據(jù)及影像。
7.如權(quán)利要求6所述的信息處理方法,其中:
所述掃描電鏡采用預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)尺寸作為腳本;
構(gòu)建光刻鄰近校正模型;所述光刻鄰近校正模型用于補(bǔ)償所述第一圖形數(shù)據(jù)在光刻工藝中的缺陷和/或由光鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的畸變;
所述光刻鄰近校正模型還可用于所述第一仿真數(shù)據(jù)的構(gòu)建。
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