[發(fā)明專利]一種半導體結構及其制造方法

有效

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• 申請日: 2021-09-22
• 公開（公告）號: CN113555318B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發(fā)明（設計）人: 楊家誠;范綱倫;葛峰
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/265;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王積毅

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底；

在所述襯底上蝕刻多個溝槽，以將所述襯底區(qū)分為多個有源結構；

在所述有源結構外側形成環(huán)繞的阻擋結構，以定義柵極區(qū)；

在所述有源結構上植入離子，在所述柵極區(qū)靠近有源結構的底部一側形成第一摻雜區(qū)，在所述柵極區(qū)靠近所述有源結構的頂部一側形成第二摻雜區(qū)；

在所述溝槽內(nèi)沉積第一隔離結構，并蝕刻所述溝槽一側的第一隔離結構，以形成開口，且所述開口與所述溝槽底部具有預設距離；

在所述開口內(nèi)依次沉積金屬層和第一半導體層，且所述第一半導體層與所述第一摻雜區(qū)接觸；

在所述第一半導體層上方沉積第二隔離結構，并蝕刻所述第二隔離結構，以暴露所述柵極區(qū)和所述第二摻雜區(qū)；以及

在所述第二隔離結構和所述有源結構上形成共用柵極，且所述共用柵極覆蓋所述柵極區(qū)。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述阻擋結構包括犧牲氧化層和多晶硅層，所述犧牲氧化層包覆所述柵極區(qū)，所述多晶硅層包覆所述犧牲氧化層。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)時，離子植入的方向與所述溝槽的側壁所呈角度等于或大于15度。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構的制造方法還包括：在所述開口內(nèi)沉積隔離層，所述隔離層位于所述第一隔離結構和所述金屬層之間、以及所述金屬層和所述有源結構之間。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述共用柵極包括環(huán)形柵極結構，所述環(huán)形柵極結構包覆所述柵極區(qū)。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述共用柵極包括柵極連接結構，所述柵極連接結構連接第一方向上相鄰的所述環(huán)形柵極結構。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構的制造方法還包括：在第二方向上，在所述環(huán)形柵極結構之間設置第一阻擋層。

8.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構的制造方法還包括：在所述共用柵極和所述有源結構形成第三阻擋層，且所述第三阻擋層上設置有第一接觸窗和第二接觸窗，所述第一接觸窗與所述共用柵極連通，所述第二接觸窗與所述第二摻雜區(qū)連通。

9.根據(jù)權利要求8所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構的制造方法還包括：在所述第一接觸窗內(nèi)形成第一導電插塞，在所述第二接觸窗內(nèi)形成第二導電插塞。

10.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底；

多個溝槽，形成于所述襯底上，將所述襯底區(qū)分為多個有源結構；

柵極區(qū)，設置在所述有源結構上；

第一摻雜區(qū)，設置在所述有源結構上，且位于所述柵極區(qū)靠近所述有源結構的底部一側；

第二摻雜區(qū)，設置在所述有源結構上，且位于所述柵極區(qū)靠近所述有源結構的頂部一側；

第一隔離結構，位于所述溝槽內(nèi)，且在靠近所述溝槽的一側設置有開口，所述開口與所述溝槽底部具有預設距離；

金屬層，位于所述開口內(nèi)；

第一半導體層，位于所述開口內(nèi)，且所述第一半導體層與所述第一摻雜區(qū)接觸；

第二隔離結構，位于所述第一半導體層上方，且暴露所述柵極區(qū)和所述第二摻雜區(qū)；以及

共用柵極，形成于所述第二隔離結構和所述有源結構上，且所述共用柵極覆蓋所述柵極區(qū)。