[發明專利]陣列基板母板、陣列基板、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202111095061.7 | 申請日: | 2021-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN113823643A | 公開(公告)日: | 2021-12-21 |
| 發明(設計)人: | 安亞帥;王建;張勇;楊智超;鄧祁;乜玲芳;王德生;郝龍虎;王佩佩;郭贊武;秦相磊;龐凈 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662 | 代理人: | 王衛忠 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 母板 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板母板,其特征在于,所述陣列基板母板上設置有切割線,所述切割線將所述陣列基板母板分為多個面板區;
所述陣列基板母板上還形成有多個陣列檢測走線,每個所述陣列檢測走線設置在每個面板區內的主線部和將相鄰面板區的主線部連接在一起的跨線連接部;所述主線部與所述面板區內的用于進行陣列檢測的電性端子連接;所述跨線連接部跨越相鄰面板區之間的切割線;
每個陣列檢測走線的跨線連接部的寬度小于該陣列檢測走線的主線部的寬度;和/或
任意兩相鄰陣列檢測走線的跨線連接部的間距大于該兩相鄰陣列檢測走線的主線部的間距。
2.根據權利要求1所述的陣列基板母板,其特征在于,每個所述陣列檢測走線的跨線連接部的寬度在20~40微米,主線部的寬度在30~60微米。
3.根據權利要求1所述的陣列基板母板,其特征在于,任意兩相鄰陣列檢測走線的跨線連接部的間距在20~40微米,主線部的間距在10~30微米。
4.根據權利要求1所述的陣列基板母板,其特征在于,每個所述陣列檢測走線的跨線連接部的寬度小于任意兩相鄰陣列檢測走線的跨線連接部的間距。
5.根據權利要求1~4中任意一項所述的陣列基板母板,其特征在于,每個所述陣列檢測走線的跨線連接部的寬度為30微米,主線部的寬度在50微米;
任意兩相鄰陣列檢測走線的跨線連接部的間距為35微米,主線部的間距為25微米。
6.一種陣列基板母板,其特征在于,所述陣列基板母板上設置有切割線區,所述切割線區將所述陣列基板母板分隔為多個面板區,所述切割線區設置有陣列檢測走線;
每個面板區包括顯示區和位于顯示區一側的布線區,所述布線區設置有柔性電路板和多個用于陣列檢測的電性端子;所述多個用于陣列檢測的電性端子與所述陣列檢測走線連接;
所述多個用于陣列檢測的電性端子中的至少部分電性端子為第一電性端子;所述第一電性端子與所述柔性電路板連接,通過形成在柔性電路板和陣列檢測走線之間的第一連接線與所述陣列檢測走線連接。
7.根據權利要求6所述的陣列基板母板,其特征在于,所述多個用于陣列檢測的電性端子中的部分電性端子為第二電性端子,所述第二電性端子通過形成在所述電性端子和陣列檢測走線之間的第二連接線連接。
8.根據權利要求7所述的陣列基板母板,其特征在于,每個第二電性端子在所述陣列檢測走線上的投影與其他的第二電性端子在所述陣列檢測走線上的投影的非重合區域的寬度大于第一設定值。
9.根據權利要求8所述的陣列基板母板,其特征在于,所述多個用于陣列檢測的電性端子中,在所述陣列檢測走線上的投影與每個第二電性端子在所述陣列檢測走線上的投影的非重合區域的寬度大于第一設定值的電性端子為第二電性端子,小于第一設定值的電性端子為第一電性端子。
10.根據權利要求6~9中任意一項所述的陣列基板母板,其特征在于,所述多個用于陣列檢測的電性端子在所述布線區排列為n排,n≥1;
n排電性端子中的其中一排的位于邊緣的電性端子為第三電性端子,所述第三電性端子具有向外的延伸線;所述第三電性端子的延伸線與所述陣列檢測走線之間形成有第三連接線。
11.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板根據權利要求1~5或權利要求6~10所述的陣列基板母板切割而成。
12.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括權利要求11所述的陣列基板。
13.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權利要求12所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





