[發(fā)明專利]扇出型封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111093731.1
• 申請(qǐng)日: 2021-09-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114023662A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翁振源;李錚鴻;閔繁宇;劉修吉;賴仲航
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/60
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/60;H01L23/31;H01L23/16
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

并排設(shè)置的第一電子元件和第二電子元件，所述第一電子元件包括：

功能凸塊陣列，位于所述第一電子元件的下表面的中心處；

偽凸塊，位于所述功能凸塊陣列和所述第一電子元件的所述下表面的邊界之間；

線路層，位于所述第一電子元件和所述第二電子元件下方，所述第二電子元件和所述第一電子元件的所述功能凸塊陣列電連接至所述線路層，所述第一電子元件的所述偽凸塊物理接觸所述線路層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述偽凸塊鄰接所述邊界。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述偽凸塊位于所述下表面的拐角處。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述偽凸塊位于所述下表面的中心與所述拐角的連線的兩側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述偽凸塊還位于所述下表面的所述中心與所述拐角的所述連線上。

6.根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項(xiàng)所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于單個(gè)所述拐角處的所述偽凸塊具有L形形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述L形平行于所述拐角處的所述邊界。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

填充層，包覆所述第一電子元件和所述第二電子元件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

粘合層，位于所述第一電子元件、所述第二電子元件和所述線路層之間，所述第一電子元件的所述功能凸塊陣列和所述偽凸塊穿過(guò)所述粘合層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電子元件的下表面具有第二凸塊，所述第二凸塊與所述偽凸塊之間具有第三距離，所述偽凸塊與所述邊界之間具有第一距離，所述第一距離與所述第三距離的比值位于0至0.5的范圍內(nèi)。