[發明專利]半導體封裝裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202111090580.4
• 申請日: 2021-09-17
• 公開（公告）號: CN113823602A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 田興國;李志成
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/56
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

本公開提供了半導體封裝裝置及其制造方法，通過在內埋線路基板中設置內埋元件區域和結構支撐區域，在內埋元件區域內設置內埋功能元件，在結構支撐區域內設置有結構支撐件，相對于現有技術中只在內埋線路基板中設置一個腔體且在這個腔體內設置所有內埋功能元件而言，通過內埋元件區域和結構支撐區域的配合，可以減少內埋元件區域的體積，即用于容納內埋功能元件的容納腔體的體積，進而減少內埋元件區域內填充膠的數量，以減少填充膠與基板之間脫層的風險。另外，結構支撐區域設置的結構支撐件還可以提高內埋線路基板的剛性，進而降低產品翹曲、脫層、斷裂等風險，提高產品良率。

技術領域

本公開涉及半導體封裝技術領域，具體涉及半導體封裝裝置及其制造方法。

背景技術

隨著智能移動終端的發展，其功能越來越多樣，相應地IC(Integrated Circuit，集成電路)整合便更加重要。為了是產品尺寸更小，將主動元件(Active components，或稱有源元件)和被動元件(Passive components，或稱無源元件)埋入基板中是一種主要的做法，埋入基板可以有效減少電傳輸路徑，進一步將功率損耗降低，以便于將各種功能的IC整合成一顆小型的產品封裝(Package)。

為了將元件內埋入基板，需要相應地在基板內設置腔體以容納內埋元件，并且為了固定腔體內的各內埋元件，需要在容納腔體內填充膠體。

由于各種內埋元件、基板本身以及填充膠體之間可能具有不同的CTE(Coefficient of thermal expansion，熱膨脹系數)，這將導致產品出現翹曲(Warpage)可能性，而翹曲可能帶來氣泡(Bubble)、脫層(Delamination)、斷裂(Crack)等產品問題。而隨著基板內埋元件數量的增多，相應地需要基板內的容納腔體體積也要相應增大。而容納腔體體積增大后，需要的填膠量將更多，這將導致更多和更大程度的翹曲、氣泡、脫層、斷裂等問題，進而降低產品良率。

發明內容

本公開提出了半導體封裝裝置及其制造方法。

第一方面，本公開提供了一種半導體封裝裝置，包括：內埋線路基板，所述內埋線路基板具有第一區域，所述第一區域包括至少一個內埋元件區域和至少一個結構支撐區域，所述內埋元件區域內設置有至少一個內埋功能元件，所述結構支撐區域內設置有結構支撐件。

在一些可選的實施方式中，所述半導體封裝裝置還包括：第一基板上線路層，設置于所述內埋線路基板上，且電性連接各所述內埋功能元件。

在一些可選的實施方式中，所述半導體封裝裝置還包括：基板下線路層，設置于所述內埋線路基板下，所述基板下線路層通過各所述內埋功能元件電性連接所述第一基板上線路層。

在一些可選的實施方式中，所述半導體封裝裝置還包括：第二基板上線路層，設置于所述第一基板上線路層上，所述第二基板上線路層的線寬/線距小于所述第一基板上線路層的線寬/線距。

在一些可選的實施方式中，所述結構支撐件為設置于所述內埋元件區域內的內埋虛設元件，所述內埋虛設元件被所述內埋元件區域內的內埋功能元件包圍。

在一些可選的實施方式中，所述內埋虛設元件與所述內埋線路基板的基板材料相同。

在一些可選的實施方式中，所述內埋虛設元件具有電性連接所述內埋虛設元件的上下表面的第一電鍍通孔。

在一些可選的實施方式中，所述結構支撐件為所述內埋線路基板中接觸所述內埋元件區域的基板。

在一些可選的實施方式中，所述半導體封裝裝置還包括：支撐件區域導電結構，設置于所述內埋線路基板對應所述結構支撐件的上表面和/或下表面，任一所述內埋功能元件與所述支撐件區域導電結構之間的最短距離小于各所述內埋功能元件中任兩個內埋功能元件之間的最遠距離。

在一些可選的實施方式中，各所述內埋元件區域內還設置有第一介電層。