[發明專利]半導體封裝裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202111090580.4
• 申請日: 2021-09-17
• 公開（公告）號: CN113823602A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 田興國;李志成
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/56
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

1.一種半導體封裝裝置，包括：

內埋線路基板，所述內埋線路基板具有第一區域，所述第一區域包括至少一個內埋元件區域和至少一個結構支撐區域，所述內埋元件區域內設置有至少一個內埋功能元件，所述結構支撐區域內設置有結構支撐件。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中，所述半導體封裝裝置還包括：

第一基板上線路層，設置于所述內埋線路基板上，且電性連接各所述內埋功能元件。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝裝置，其中，所述半導體封裝裝置還包括：

基板下線路層，設置于所述內埋線路基板下，所述基板下線路層通過各所述內埋功能元件電性連接所述第一基板上線路層。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中，所述結構支撐件為設置于所述內埋元件區域內的內埋虛設元件，所述內埋虛設元件被所述內埋元件區域內的內埋功能元件包圍。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝裝置，其中，所述內埋虛設元件具有電性連接所述內埋虛設元件的上下表面的第一電鍍通孔。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中，所述結構支撐件為所述內埋線路基板中接觸所述內埋元件區域的基板。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝裝置，其中，所述半導體封裝裝置還包括：

支撐件區域導電結構，設置于所述內埋線路基板對應所述結構支撐件的上表面和/或下表面，任一所述內埋功能元件與所述支撐件區域導電結構之間的最短距離小于各所述內埋功能元件中任兩個內埋功能元件之間的最遠距離。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中，各所述內埋元件區域內還設置有第一介電層，所述第一介電層設置于所述內埋元件區域內的各內埋功能元件之間。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝裝置，其中，所述第一介電層還設置于所述內埋元件區域內的各內埋功能元件與各所述結構支撐區域之間。

10.一種制造半導體封裝裝置的方法，包括：

提供核心基板和至少一個內埋功能元件，所述核心基板上下表面分別設置有導電層；

在所述核心基板上形成至少一個內埋元件區域和至少一個結構支撐區域；

將各所述內埋功能元件分別設置在各所述內埋元件區域內，以及在各所述結構支撐區域內形成結構支撐件。