[發明專利]對處理襯底的框架進行均勻照射的方法和系統在審
| 申請號: | 202111089984.1 | 申請日: | 2021-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN114203585A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發明(設計)人: | F·馬扎穆托;S·佩羅;N·杜里;G·V·蒂鮑爾特;K·M·休特;G·A·岡薩雷斯特魯希略 | 申請(專利權)人: | 歐洲激光系統和解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 林瑩瑩;于靜 |
| 地址: | 法國熱*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 襯底 框架 進行 均勻 照射 方法 系統 | ||
1.一種用于對處理襯底(1)的框架(2)進行均勻照射的方法,所述處理襯底(1)包括多個框架(2),兩個連續的框架(2)被中間區域(7)隔開,所述方法包括以下步驟:
-使用檢測單元(80)確定所述處理襯底(1)的初始位置,
-將與所述處理襯底(1)的第一框架相關聯的第一預定位置與檢測到的初始位置進行比較,
-基于所述第一預定位置,通過由源單元(30)發射并由掃描單元(40)掃描的照射光束(105)來照射所述處理襯底(1)的所述第一框架,所述照射光束(105)適于均勻地覆蓋整個所述第一框架。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括將所述處理襯底(1)從所述檢測到的初始位置移動到與所述處理襯底(1)的所述第一框架相關聯的所述第一預定位置的步驟。
3.根據權利要求1所述的方法,還包括基于所述第一預定位置來移動所述掃描單元(40)以使得所述照射光束(105)被引導到所述處理襯底(1)的所述第一框架的步驟。
4.根據權利要求1所述的方法,其中光學系統(33)被配置為使得所述照射光束(105)在所述中間區域(7)中衰減。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述掃描單元(40)被配置為使得與覆蓋所述第一框架的所述照射光束(105)相比,所述照射光束(105)在所述中間區域(7)中衰減超過80%。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述處理襯底(1)包括至少一個參考標記,確定所述初始位置的步驟包括檢測所述處理襯底(1)上的所述至少一個參考標記的步驟。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述處理襯底(1)包括外圍區域(9)的邊緣和凹口(8),確定所述初始位置的步驟包括檢測所述處理襯底(1)上的所述外圍區域(9)的邊緣和所述凹口(8)的步驟。
8.根據權利要求1所述的方法,還包括以下步驟:
-將所述處理襯底(1)從所述第一預定位置移動到與所述處理襯底(1)的第二框架相關聯的第二預定位置,所述第二框架與所述第一框架直接相鄰,以及
-基于所述第二預定位置,通過由所述源單元(30)發射的所述照射光束(105)來照射所述處理襯底(1)的所述第二框架,所述照射光束(105)適于均勻地覆蓋整個所述第二框架。
9.根據權利要求1所述的方法,還包括以下步驟:
-基于與所述處理襯底(1)的第二框架相關聯的第二預定位置來移動所述掃描單元(40),所述第二框架與所述第一框架直接相鄰,以及
-基于所述第二預定位置,通過由所述源單元(30)發射的所述照射光束(105)來照射所述處理襯底(1)的所述第二框架,所述照射光束(105)適于均勻地覆蓋整個所述第二框架。
10.根據權利要求1所述的方法,其中所述檢測的步驟包括將所述檢測到的初始位置與至少一個邊緣位置進行比較的步驟。
11.根據權利要求10所述的方法,還包括如果所述初始位置對應于至少一個邊緣位置,則阻擋對所述處理襯底(1)的所述照射的步驟。
12.一種用于對處理襯底(1)的框架(2)進行均勻照射的系統(21;22;23;24),所述處理襯底(1)包括多個框架(2),兩個連續的框架(2)被中間區域(7)隔開,所述系統(21;22;23;24)包括:
-支撐物(50),其被設計為承載所述處理襯底(1),
-檢測單元(80),其被配置為確定所述處理襯底(1)的初始位置,
-控制單元(90),其被配置為將與所述處理襯底(1)的第一框架相關聯的第一預定位置與檢測到的初始位置進行比較,以及
-掃描單元(40),其被配置為通過發射照射光束(105)來照射所述處理襯底(1)的所述第一框架,所述照射光束(105)適于均勻地覆蓋整個所述第一框架。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





