[發(fā)明專利]對處理襯底的框架進行均勻照射的方法和系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111089984.1
• 申請日: 2021-09-17
• 公開（公告）號: CN114203585A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: F·馬扎穆托;S·佩羅;N·杜里;G·V·蒂鮑爾特;K·M·休特;G·A·岡薩雷斯特魯希略
• 申請（專利權(quán)）人: 歐洲激光系統(tǒng)和解決方案公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F7/20
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 林瑩瑩;于靜

本發(fā)明涉及對處理襯底的框架進行均勻照射的方法和系統(tǒng)。一種用于對處理襯底(1)的框架進行均勻照射的方法，所述處理襯底包括多個框架，兩個連續(xù)的框架被中間區(qū)域隔開，所述方法包括以下步驟：?使用檢測單元(80)確定所述處理襯底的初始位置，?將與處理襯底的第一框架相關(guān)聯(lián)的第一預定位置與所述檢測到的初始位置進行比較，?基于第一預定位置，通過由源單元(30)發(fā)射并由掃描單元(40)掃描的照射光束(105)來照射處理襯底的所述第一框架，所述照射光束適于均勻地覆蓋整個第一框架。還描述了一種用于對處理襯底的框架進行均勻照射的系統(tǒng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及對半導體襯底的照射。

更具體地，本發(fā)明涉及對處理襯底的框架(frame)進行均勻照射的方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)

為了制造半導體器件，在稱為熱處理的過程期間將半導體襯底暴露于脈沖光束。

半導體襯底通常由包括多個框架的材料晶片形成。每個框架包括一個或多個集成電路。

在熱處理過程期間，對多個框架的照射必須遵循一些特定的規(guī)則，以便均勻照射每個框架。必須對照射進行管理，以避免任何重疊(對應(yīng)于對框架的兩次或多次照射)。

此外，晶片也具有一些不應(yīng)該被照射的區(qū)域。事實上，晶片的邊緣很脆弱，照射可能會造成損壞。

第一種已知的解決方案是使用足以同時覆蓋整個晶片的照射。在這樣的解決方案中，不需要管理從一個框架到另一框架的照射過渡。由于系統(tǒng)的布置，實現(xiàn)了均勻性。

在這樣的系統(tǒng)中，使用保護環(huán)來防止邊緣受到照射。

然而，這樣的系統(tǒng)不能提供足夠的能量密度來同時覆蓋整個晶片。此外，對保護環(huán)的照射可能會生成使晶片劣化的顆粒。

第二種已知的解決方案基于使用不足以覆蓋整個晶片的較小照射。這種較小的照射與掃描臺相結(jié)合，該掃描臺適于在照射下方移動晶片，使得整個晶片不中斷地被均勻曝光。作為替代方案，可以使用光學掃描系統(tǒng)來移動照射，以便不中斷地均勻照射晶片(在該替代方案中晶片不移動)。作為另一替代方案，包括掃描臺和光學掃描系統(tǒng)的系統(tǒng)適于均勻照射晶片(通過較小的照射)。

然而，使用掃描臺僅適于慢速掃描過程，因為所述掃描臺通常很重。此外，用這樣的系統(tǒng)實現(xiàn)精確的掃描過程是相當困難的。最后，對掃描臺和光學掃描系統(tǒng)的運動同步進行控制是非常復雜的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種用于對處理襯底的框架進行均勻照射的方法，所述處理襯底包括多個框架，兩個連續(xù)的框架被中間區(qū)域隔開，所述方法包括以下步驟：

-使用檢測單元確定所述處理襯底的初始位置，

-將與所述處理襯底的第一框架相關(guān)聯(lián)的第一預定位置與檢測到的初始位置進行比較，

-基于所述第一預定位置，通過由源單元發(fā)射并由掃描單元掃描的照射光束來照射所述處理襯底的所述第一框架，所述照射光束適于均勻地覆蓋整個所述第一框架。

根據(jù)本發(fā)明，照射被引導到處理襯底的框架。由于框架的定位是已知的，因此本發(fā)明使能對框架的精確照射。另外，照射使得整個框架被均勻照射，從而導致處理襯底的最佳退火處理。

因此，本發(fā)明允許對處理襯底上需要被均勻照射的部件(即，框架)進行精確地照射，并且避免對可能被這種照射損壞的部件(即，邊緣和中間區(qū)域)的照射。

根據(jù)本發(fā)明的方法的其他優(yōu)點和非限制性特征包括：

-所述方法還包括將所述處理襯底從所述檢測到的初始位置移動到與所述處理襯底的所述第一框架相關(guān)聯(lián)的所述第一預定位置的步驟；

-所述方法還包括基于所述第一預定位置來移動所述掃描單元以使得所述照射光束被引導到所述處理襯底的所述第一框架的步驟；