[發明專利]集成電路裝置

在審

• 申請號: 202111080131.1
• 申請日: 2021-09-15
• 公開（公告）號: CN113658935A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 王奎;周猛
• 申請（專利權）人: 蘇州日月新半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

一種集成電路裝置。所述集成電路裝置包括載板、膠層以及集成電路芯片。所述膠層涂覆于所述載板之上，其中所述膠層包括銅漿，所述膠層的厚度在5?35微米的范圍，所述銅漿的粘度系數在10000?30000cPs的范圍，所述銅漿的觸變指數在1.5?3的范圍。所述集成電路芯片通過所述膠層粘接于所述載板之上。

技術領域

本申請是有關于一種裝置，詳細來說，是有關于一種集成電路裝置。

背景技術

目前的半導體封裝工藝中，一般使用普通的銀膠進行黏晶工藝以完成焊接。然而，銀漿會存在烘烤后開裂的風險，并且，當使用某些材料制成載板(如引線框架)時，銀漿的顏色與載板顏色相近，造成無法識別銀漿在載板的位置。

發明內容

有鑒于此，本申請提出一種集成電路裝置以解決上述問題。

依據本申請一實施例，提出一種集成電路裝置。所述集成電路裝置包括載板、膠層以及集成電路芯片。所述膠層涂覆于所述載板之上，其中所述膠層包括銅漿，所述膠層的厚度在5-35微米的范圍，所述銅漿的粘度系數在10000-30000cPs的范圍，所述銅漿的觸變指數在1.5-3的范圍。所述集成電路芯片通過所述膠層粘接于所述載板之上。

依據本申請一實施例，所述銅漿為高分子抗氧化銅漿。

依據本申請一實施例，所述銅漿包括奈米抗氧化銅粉。

依據本申請一實施例，所述銅漿的粘度系數是15880cPs。

依據本申請一實施例，所述銅漿的觸變指數是2.12。

依據本申請一實施例，所述膠層的導熱系數大于15W/m.K。

依據本申請一實施例，所述膠層的厚度在15-35微米的范圍。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的厚度大于200微米，所述膠層的溢出高度在所述集成電路芯片的厚度的20％-80％的范圍。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的厚度大于200微米，所述膠層的溢出高度在所述集成電路芯片的厚度的40％-60％的范圍。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的厚度在100-200微米的范圍，所述膠層的溢出高度在所述集成電路芯片的厚度的20％-90％的范圍。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的厚度在100-200微米的范圍，所述膠層的溢出高度在所述集成電路芯片的厚度的30％-80％的范圍。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的厚度小于100微米，所述膠層的溢出高度小于所述集成電路芯片的厚度。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的厚度小于100微米，所述膠層的溢出高度小于所述集成電路芯片的厚度的95％。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的尺寸小于或等于2毫米*2毫米，放置在所述膠層上的所述集成電路芯片的芯片傾斜小于10微米。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的尺寸小于或等于2毫米*2毫米，放置在所述膠層上的所述集成電路芯片的芯片傾斜小于7微米。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的尺寸大于2毫米*2毫米，放置在所述膠層上的所述集成電路芯片的芯片傾斜小于20微米。

依據本申請一實施例，所述集成電路芯片的尺寸大于2毫米*2毫米，放置在所述膠層上的所述集成電路芯片的芯片傾斜小于15微米。

附圖說明

附圖是用來提供對本申請的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本申請，但并不構成對本申請的限制。在附圖中：

圖1演示依據本申請一實施例之集成電路裝置的側視視圖。