[發明專利]集成電路裝置在審
| 申請號： | 202111080131.1 | 申請日： | 2021-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN113658935A | 公開（公告）日： | 2021-11-16 |
| 發明（設計）人： | 王奎;周猛 | 申請（專利權）人： | 蘇州日月新半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 215021 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 裝置 | ||
1.一種集成電路裝置，其特征在于，包括：
載板；
膠層，涂覆于所述載板之上，其中所述膠層包括銅漿，所述膠層的厚度在5-35微米的范圍，所述銅漿的粘度系數在10000-30000cPs的范圍，所述銅漿的觸變指數在1.5-3的范圍；以及
集成電路芯片，通過所述膠層粘接于所述載板之上。
2.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述銅漿為高分子抗氧化銅漿。
3.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述銅漿包括奈米抗氧化銅粉。
4.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述銅漿的粘度系數是15880cPs。
5.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述銅漿的觸變指數是2.12。
6.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述膠層的導熱系數大于15W/m·K。
7.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述膠層的厚度在15-35微米的范圍。
8.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的厚度大于200微米，所述膠層的溢出高度在所述集成電路芯片的厚度的20％-80％的范圍。
9.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的厚度大于200微米，所述膠層的溢出高度在所述集成電路芯片的厚度的40％-60％的范圍。
10.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的厚度在100-200微米的范圍，所述膠層的溢出高度在所述集成電路芯片的厚度的20％-90％的范圍。
11.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的厚度在100-200微米的范圍，所述膠層的溢出高度在所述集成電路芯片的厚度的30％-80％的范圍。
12.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的厚度小于100微米，所述膠層的溢出高度小于所述集成電路芯片的厚度。
13.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的厚度小于100微米，所述膠層的溢出高度小于所述集成電路芯片的厚度的95％。
14.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的尺寸小于或等于2毫米*2毫米，放置在所述膠層上的所述集成電路芯片的芯片傾斜小于10微米。
15.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的尺寸小于或等于2毫米*2毫米，放置在所述膠層上的所述集成電路芯片的芯片傾斜小于7微米。
16.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的尺寸大于2毫米*2毫米，放置在所述膠層上的所述集成電路芯片的芯片傾斜小于20微米。
17.如權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述集成電路芯片的尺寸大于2毫米*2毫米，放置在所述膠層上的所述集成電路芯片的芯片傾斜小于15微米。
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