[發(fā)明專利]一種芯片封裝外殼及其釬焊工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111077758.1 | 申請日: | 2021-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN113539974B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭學(xué)軍;竇勇;李文軍;肖文鵬;陳祥波;紀曉黎 | 申請(專利權(quán))人: | 凱瑞電子(諸城)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/04 | 分類號: | H01L23/04;H01L23/10;H01L23/367;H01L21/48;B23K1/00;B23K3/08 |
| 代理公司: | 青島橡膠谷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 37341 | 代理人: | 李丹鳳 |
| 地址: | 262200 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 封裝 外殼 及其 釬焊 工藝 | ||
本發(fā)明公開了一種芯片封裝外殼及其釬焊工藝,包括封裝底板、封裝外殼和封裝頂板,所述封裝底板頂端設(shè)置有封裝外殼,所述封裝外殼頂端設(shè)置有封裝頂板,所述封裝底板頂端位于封裝外殼的內(nèi)部設(shè)置有絕緣集成板,所述絕緣集成板內(nèi)部設(shè)置有引腳;本發(fā)明采用彈性定位的釬焊工藝,有效防止外殼釬焊過程中殼體變形;通過設(shè)置隔熱層、阻燃層和吸熱框架,通過隔熱層阻礙引腳上的溫度傳導(dǎo),并且通過阻燃層防止溫度過高對芯片主體造成燒毀,而位于吸熱框架內(nèi)部的芯片主體在工作時自身會產(chǎn)生熱量,芯片主體所產(chǎn)生的熱量在吸熱框架的作用下進行吸收,達到了阻礙熱量傳導(dǎo)的效果,并且通過吸熱框架對芯片主體進行單獨保護,增加了芯片主體的使用壽命和使用安全性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種芯片封裝外殼及其釬焊工藝。
背景技術(shù)
安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼,起著安放、固定、密封、保護芯片和增強電熱性能的作用,而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁;芯片上的接點用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接;因此,封裝對CPU和其他LSI集成電路都起著重要的作用。
現(xiàn)有的芯片封裝通常采用整體式封裝,導(dǎo)致芯片的散熱性能較差,并且當溫度過高時,大量的高溫會通過引腳傳導(dǎo)至芯片上,進而降低了芯片的使用壽命,不利于芯片的正常使用。同時,金屬外殼有的殼體尺寸很大,由于在外殼釬焊過程中有著復(fù)雜的脹縮變化,釬焊后,底板會變形,外殼平面度達不到要求,導(dǎo)致無法焊接線路板。
因此提出一種芯片封裝外殼及其釬焊工藝。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有的缺陷,提供一種芯片封裝外殼及其釬焊工藝,以解決上述背景技術(shù)中提出的現(xiàn)有的芯片封裝通常采用整體式封裝,導(dǎo)致芯片的散熱性能較差,并且當溫度過高時,大量的高溫會通過引腳傳導(dǎo)至芯片上,進而降低了芯片的使用壽命,不利于芯片的正常使用的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種芯片封裝外殼,包括封裝底板、封裝外殼和封裝頂板,所述封裝底板頂端設(shè)置有封裝外殼,所述封裝外殼頂端設(shè)置有封裝頂板,所述封裝底板頂端位于封裝外殼的內(nèi)部設(shè)置有絕緣集成板,所述絕緣集成板內(nèi)部設(shè)置有引腳,所述絕緣集成板頂端設(shè)置有隔熱層,所述隔熱層頂端設(shè)置有阻燃層,所述阻燃層頂端設(shè)置有吸熱框架,所述吸熱框架內(nèi)部設(shè)置有芯片主體,所述吸熱框架的內(nèi)側(cè)設(shè)置有導(dǎo)熱塊,所述導(dǎo)熱塊的頂端均與吸熱板固定連接,所述吸熱板位于散熱板的底端。
優(yōu)選的,所述散熱板位于封裝頂板的內(nèi)部,所述散熱板的兩側(cè)均勻設(shè)置有金屬扣,所述金屬扣另一側(cè)均與封裝底板卡合連接。
優(yōu)選的,所述封裝頂板頂端開設(shè)有散熱窗口,所述散熱窗口與散熱板之間設(shè)置有密封膠,所述吸熱板和散熱板之間設(shè)置有導(dǎo)熱凝膠。
優(yōu)選的,所述封裝底板、封裝外殼和封裝頂板之間可拆卸固定連接。
優(yōu)選的,所述封裝外殼的內(nèi)側(cè)設(shè)置有內(nèi)壓框,所述內(nèi)壓框位于隔熱層的頂端。
優(yōu)選的,所述隔熱層的厚度位3mm,所述阻燃層的厚度位2mm。
優(yōu)選的,所述吸熱框架頂端設(shè)置有密封圈,所述密封圈位于吸熱框架和封裝頂板之間。
優(yōu)選的,所述封裝外殼的型號為MSFM5247-W8型、MSFM5540-W13型、MSFM5641-W13型和MSFM7940-W34型中的任意一個。
優(yōu)選的,本發(fā)明還提出了一種芯片封裝外殼中封裝外殼的釬焊工藝,
步驟一,將引線與瓷件釬焊在一起制作成電極,控制住引線露出瓷件的尺寸;
步驟二:再將殼體與電極進行燒結(jié),控制引線內(nèi)露出腔體的尺寸;
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