[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請號: 202111056960.6
• 申請日: 2021-09-09
• 公開（公告）號: CN113782548B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 劉凈
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃舒悅

本申請實施例公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。所述陣列基板包括襯底、有源層、源極以及漏極；所述有源層設置在所述襯底上，所述有源層具有一溝道區；所述源極和所述漏極設置在所述有源層上，所述源極和所述漏極位于所述溝道區的相對兩側，所述源極和所述漏極均包括依次設置在所述有源層上的金屬阻擋層和導電金屬層；在所述源極和/或所述漏極遠離所述溝道區的一端，所述金屬阻擋層包括第一凸部，所述第一凸部自所述導電金屬層的端部向遠離所述溝道區的方向延伸。本申請減小了有源層相較于源極和/或漏極的外凸長度。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術

隨著液晶顯示技術的快速發展，相應的陣列基板的制作工藝也在快速發展。相較于傳統陣列基板的5道光罩制程，目前的陣列基板主要采用4道光罩(4Mask)制備得到，以達到節省成本的目的。

在4Mask工藝中，由于有源層和源漏極采用同一道光罩制得，因此，在制備得到的有源層中，不可避免地會出現有源層相對于上方的源漏極外凸長度較大的現象。其中，有源層相較于源漏極凸出的部分稱為非晶硅尾纖(Amorphous Silion Tail,AS Tail)，當ASTail長度過大時，會影響陣列基板中驅動信號的穩定性。

發明內容

本申請實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，以減小AS Tail的長度。

本申請實施例提供一種陣列基板，其包括：

襯底；

有源層，設置在所述襯底上，所述有源層具有一溝道區；

源極，設置在所述有源層上；以及

漏極，設置在所述有源層上，所述源極和所述漏極位于所述溝道區的相對兩側，所述源極和所述漏極均包括依次設置在所述有源層上的金屬阻擋層和導電金屬層；

其中，在所述源極和/或所述漏極遠離所述溝道區的一端，所述金屬阻擋層包括第一凸部，所述第一凸部自所述導電金屬層的端部向遠離所述溝道區的方向延伸。

可選的，在本申請的一些實施例中，在所述溝道區朝向所述源極和/或所述漏極的方向上，所述第一凸部的長度為0.05μm-1.5μm。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一凸部的長度為1.0μm-1.5μm。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述有源層包括第二凸部，所述第二凸部自所述第一凸部的端部向遠離所述溝道區的方向延伸。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述有源層包括非晶硅層和歐姆接觸層，所述歐姆接觸層位于所述非晶硅層靠近所述金屬阻擋層的一側，所述第二凸部包括第一子凸部和第二子凸部，所述第一子凸部位于所述非晶硅層中，所述第二子凸部位于所述歐姆接觸層中；

在所述源極和/或所述漏極遠離所述溝道區的一端，所述第一子凸部和所述第二子凸部均自所述第一凸部的端部向遠離所述溝道區的方向延伸。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述有源層包括非晶硅層和歐姆接觸層，所述歐姆接觸層位于所述非晶硅層靠近所述金屬阻擋層的一側，所述第二凸部位于所述非晶硅層中；

在所述源極和/或所述漏極遠離所述溝道區的一端，所述歐姆接觸層的側面與所述第一凸部的側面齊平。

可選的，在本申請的一些實施例中，在所述溝道區朝向所述源極和/或所述漏極的方向上，所述第二凸部的長度處于0μm至2μm的范圍內。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述金屬阻擋層的材料包括鉬或鉬合金中的至少一種，所述導電金屬層的材料包括銅。

本申請實施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括前述任一實施例所述的陣列基板。