[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請號: 202111056960.6
• 申請日: 2021-09-09
• 公開（公告）號: CN113782548B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 劉凈
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃舒悅

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成有源基層、第一金屬基層和第二金屬基層；

蝕刻所述第一金屬基層和所述第二金屬基層，以分別形成第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層和所述第二金屬層構成源漏極圖案；

蝕刻所述有源基層，以形成有源層圖案；

利用蝕刻液對所述第一金屬層和所述第二金屬層進行蝕刻，以分別形成金屬阻擋層和導電金屬層，所述源漏極圖案形成為源極和漏極，所述第一金屬層在所述蝕刻液中的蝕刻速率小于所述第二金屬層在所述蝕刻液中的蝕刻速率；所述蝕刻液包括酸性氧化劑和金屬蝕刻劑，所述酸性氧化劑在所述蝕刻液中的質量含量為5％-6％，所述金屬蝕刻劑在所述蝕刻液中的質量含量為0.01％-0.05％；

蝕刻所述有源層圖案，以形成有源層；

其中，在所述源極和/或所述漏極遠離所述有源層的溝道區的一端，所述金屬阻擋層包括第一凸部，所述第一凸部自所述導電金屬層的端部向遠離所述溝道區的方向延伸。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述溝道區朝向所述源極和/或所述漏極的方向上，所述第一凸部的長度為0.05μm-1.5μm。

3.根據權利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一凸部的長度為1.0μm-1.5μm。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述有源基層包括依次形成的非晶硅基層和歐姆接觸基層，所述有源層圖案包括非晶硅層和歐姆接觸層圖案，所述蝕刻所述有源層圖案的步驟，包括：

蝕刻所述歐姆接觸層圖案，以形成歐姆接觸層，所述非晶硅層和所述歐姆接觸層構成所述有源層；其中，所述非晶硅層具有第一子凸部，所述歐姆接觸層具有第二子凸部，在所述源極和/或所述漏極遠離所述溝道區的一端，所述第一子凸部和所述第二子凸部均自所述第一凸部的端部向遠離所述溝道區的方向延伸。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述有源層包括第二凸部，所述第二凸部自所述第一凸部的端部向遠離所述溝道區的方向延伸。

6.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述溝道區朝向所述源極和/或所述漏極的方向上，所述第二凸部的長度處于0μm至2μm的范圍內。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述金屬阻擋層的材料包括鉬或鉬合金中的至少一種，所述導電金屬層的材料包括銅。

8.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述蝕刻液還包括酸性穩定劑、PH調節劑、蝕刻抑制劑以及金屬離子穩定劑。