[發(fā)明專利]防偽結(jié)構(gòu)、防偽結(jié)構(gòu)的制備方法和芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111052314.2 | 申請日： | 2021-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN113763801A | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 史麗娜;尚瀟;李龍杰;陳生瓊;謝常青;李泠 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | G09F3/02 | 分類號： | G09F3/02;H01L23/544;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302 | 代理人： | 馬苗苗 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 防偽 結(jié)構(gòu) 制備 方法 芯片 | ||
1.一種防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
基底層；
多個凸起結(jié)構(gòu)，形成于所述基底層上，其中，用于制備所述凸起結(jié)構(gòu)的材料的折射率大于1.4。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底層的材料和用于制備所述凸起結(jié)構(gòu)的材料相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，制備所述凸起結(jié)構(gòu)的材料包括硅、二氧化鈦、氧化鋁和氧化鉿中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述凸起結(jié)構(gòu)沿高度方向的截面為橢圓形；
所述凸起結(jié)構(gòu)的高度為140納米至240納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述橢圓形的短軸直徑為80納米至240納米；
所述橢圓形的長軸直徑為80納米至240納米，所述長軸直徑的取值大于所述短軸直徑的取值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，
多個所述凸起結(jié)構(gòu)在所述基底層上呈矩形陣列排布；
其中，矩形陣列排布的X軸排布周期與Y軸排布周期相同，所述X軸排布周期和所述Y軸排布周期的取值為290納米至310納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
金屬層，覆蓋在所述凸起結(jié)構(gòu)背離于所述基底的一側(cè)；
所述金屬層的厚度為25納米至35納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，制備所述金屬層的材料包括金、銀、鋁和鉻中的至少一種。
9.一種防偽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，用于制備權(quán)利要求1至8中任一項所述的防偽結(jié)構(gòu)，所述制備方法包括：
提供基底，用于制備所述基底的材料的折射率大于1.4；
對所述基底進行刻蝕，以在所述基底上形成多個凸起結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述對所述基底進行刻蝕，以在所述基底上形成多個凸起結(jié)構(gòu)的步驟包括：
在所述基底上設(shè)置金屬掩膜層；
通過電子束光刻工藝刻蝕所述基底，以在所述基底上形成多個凸起結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的防偽結(jié)構(gòu)，其特征在于，
制備所述基底的材料包括硅、二氧化鈦、氧化鋁和氧化鉿中的至少一種。
12.一種防偽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，用于制備權(quán)利要求1至8中任一項所述的防偽結(jié)構(gòu)，所述制備方法包括：
提供基底；
在所述基底上形成薄膜結(jié)構(gòu)，用于制備所述薄膜結(jié)構(gòu)的材料的折射率大于1.4；
對所述薄膜結(jié)構(gòu)進行刻蝕，以在所述基底上形成多個凸起結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述對所述薄膜結(jié)構(gòu)進行刻蝕，以在所述基底上形成多個凸起結(jié)構(gòu)的步驟包括：
在所述薄膜結(jié)構(gòu)上設(shè)置金屬掩膜層；
通過電子束光刻工藝刻蝕所述薄膜結(jié)構(gòu)，以在所述基底上形成多個凸起結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，
制備所述薄膜結(jié)構(gòu)的材料包括PMMA膠、硅、二氧化鈦、氧化鋁和氧化鉿中的至少一種。
15.一種芯片，其特征在于，包括：
如權(quán)利要求1至8中任一項所述的防偽結(jié)構(gòu)。
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