[發明專利]防偽結構、防偽結構的制備方法和芯片

在審

• 申請號: 202111052314.2
• 申請日: 2021-09-08
• 公開（公告）號: CN113763801A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 史麗娜;尚瀟;李龍杰;陳生瓊;謝常青;李泠
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G09F3/02
• 分類號: G09F3/02;H01L23/544;H01L21/67
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 馬苗苗

本申請實施例公開了一種防偽結構、防偽結構的制備方法和芯片，其中防偽結構包括：基底層；多個凸起結構，形成于所述基底層上，其中，用于制備所述凸起結構的材料的折射率大于1.4。當入射光照射在防偽結構上時，入射光會與多個凸起結構產生米氏共振現象，使得防偽結構的凸起結構上不同角度反射的光線不同，進而使得經由不同的角度看向防偽結構時會呈現不同的顏色，基于此即可實現防偽作用，本申請實施例提供的防偽結構基于結構色進行顯色，無需依賴于顏料，分辨率高，使得防偽結構難以被仿制，且本申請實施例提供的防偽結構無需依賴于化學染料，能夠降低對環境的污染。

技術領域

本申請實施例涉及顯色技術領域，尤其涉及一種防偽結構、一種防偽結構的制備方法和一種芯片。

背景技術

防偽結構廣泛地應用在很多商品上，其用于甄別產品是否屬于假冒和仿冒。目前技術中大多是通過在產品上涂布顏料，通過顏料不同的色彩來進行防偽，但是傳統顏料的分辨率低，導致目前的防偽結構容易被仿制，防偽性能差。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術或相關技術中存在的技術問題之一。

為此，本發明的第一方面提供了一種防偽結構。

本發明的第二方面提供了一種防偽結構的制備方法。

本發明的第三方面提供了另一種防偽結構的制備方法。

本發明的第四方面提供了一種芯片。

有鑒于此，根據本申請實施例的第一方面提出了一種防偽結構，包括：

基底層；

多個凸起結構，形成于所述基底層上，其中，用于制備所述凸起結構的材料的折射率大于1.4。

在一種可行的實施方式中，所述基底層的材料和用于制備所述凸起結構的材料相同。

在一種可行的實施方式中，制備所述凸起結構的材料包括硅、二氧化鈦、氧化鋁和氧化鉿中的至少一種。

在一種可行的實施方式中，所述凸起結構沿高度方向的截面為橢圓形；所述凸起結構的高度為140納米至240納米。

在一種可行的實施方式中，所述橢圓形的短軸直徑為80納米至240納米；所述橢圓形的長軸直徑為80納米至240納米，所述長軸直徑的取值大于所述短軸直徑的取值。

在一種可行的實施方式中，多個所述凸起結構在所述基底層上呈矩形陣列排布；其中，矩形陣列排布的X軸排布周期與Y軸排布周期相同，所述X軸排布周期和所述Y軸排布周期的取值為290納米至310納米。

在一種可行的實施方式中，防偽結構還包括：

金屬層，覆蓋在所述凸起結構背離于所述基底的一側；

所述金屬層的厚度為25納米至35納米。

在一種可行的實施方式中，制備所述金屬層的材料包括金、銀、鋁和鉻中的至少一種。

根據本申請實施例的第二方面提出了一種防偽結構的制備方法，用于制備上述任一技術方案所述的防偽結構，所述制備方法包括：

提供基底，用于制備所述基底的材料的折射率大于1.4；

對所述基底進行刻蝕，以在所述基底上形成多個凸起結構。

在一種可行的實施方式中，所述對所述基底進行刻蝕，以在所述基底上形成多個凸起結構的步驟包括：

在所述基底上設置金屬掩膜層；

通過電子束光刻工藝刻蝕所述基底，以在所述基底上形成多個凸起結構。