[發(fā)明專利]發(fā)光器件及顯示基板

在審

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• 申請日: 2021-09-08
• 公開（公告）號: CN113745378A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設計）人: 滕萬鵬;劉偉星;張春芳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/36;H01L27/15
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 何家鵬;丁蕓

本申請實施例提供了一種發(fā)光器件及顯示基板。發(fā)光器件包括襯底、第一發(fā)光結構和第二發(fā)光結構；第一發(fā)光結構和第二發(fā)光結構均包括第一半導體層、發(fā)光層和第二半導體層，第一半導體層設置在襯底上，發(fā)光層設置在第一半導體層的遠離襯底的一側，第二半導體層設置在發(fā)光層的遠離第一半導體層的一側；發(fā)光器件還包括第一電極、第二電極、第三電極和第一導電層，第一電極通過第一過孔與第一發(fā)光結構的第一半導體層連接，第三電極通過第二過孔與第一導電層連接，第一導電層與第二發(fā)光結構的第二半導體層連接，第二過孔環(huán)繞或半環(huán)繞第二發(fā)光結構的發(fā)光層設置，第二過孔在襯底上的正投影位于第二發(fā)光結構的發(fā)光層在襯底上的正投影之外。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別是涉及一種發(fā)光器件及顯示基板。

背景技術

相關技術中，高壓發(fā)光二極管(LED)包括兩顆串聯連接的LED。對于高壓發(fā)光二極管中的單顆LED來說，其不同部位存在一定的亮度差，導致亮度均一性不佳。因此，如何提高高壓發(fā)光二極管中單顆LED的亮度均一性是需要解決的一個技術問題。

發(fā)明內容

本申請實施例的目的在于提供一種發(fā)光器件及顯示基板，可以提高高壓發(fā)光二極管中單顆LED的亮度均一性。具體技術方案如下：

本申請第一方面的實施例提出了一種發(fā)光器件，包括襯底、第一發(fā)光結構和第二發(fā)光結構；所述第一發(fā)光結構和所述第二發(fā)光結構均包括第一半導體層、發(fā)光層和第二半導體層，所述第一半導體層設置在所述襯底上，所述發(fā)光層設置在所述第一半導體層的遠離所述襯底的一側，所述第二半導體層設置在所述發(fā)光層的遠離所述第一半導體層的一側；

所述發(fā)光器件還包括第一電極、第二電極、第三電極和第一導電層，所述第一電極通過第一過孔與所述第一發(fā)光結構的第一半導體層連接，所述第二電極的一端連接所述第一發(fā)光結構的第二半導體層，所述第二電極的另一端連接所述第二發(fā)光結構的第一半導體層，所述第三電極通過第二過孔與所述第一導電層連接，所述第一導電層與所述第二發(fā)光結構的第二半導體層連接，所述第二過孔環(huán)繞或半環(huán)繞所述第二發(fā)光結構的發(fā)光層設置，所述第二過孔在所述襯底上的正投影位于所述第二發(fā)光結構的發(fā)光層在所述襯底上的正投影之外。

在本申請的其中一些實施例中所述第二過孔為環(huán)繞所述第二發(fā)光結構的發(fā)光層設置的口字形過孔結構；

所述第二過孔的各部分在所述襯底上的正投影，到所述第二發(fā)光結構的發(fā)光層在所述襯底上的正投影的距離均相等。

在本申請的另外一些實施例中，所述第二過孔為半環(huán)繞所述第二發(fā)光結構的發(fā)光層設置的匚字形過孔結構；

所述第二過孔的各部分在所述襯底上的正投影，到所述第二發(fā)光結構的發(fā)光層在所述襯底上的正投影的距離均相等。

在本申請的一些實施例中，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括第二導電層，所述第二電極通過第三過孔與所述第二導電層連接，所述第二導電層與第一發(fā)光結構的第二半導體層連接，所述第三過孔環(huán)繞或半環(huán)繞所述第一發(fā)光結構的發(fā)光層設置，所述第三過孔在所述襯底上的正投影位于所述第一發(fā)光結構的發(fā)光層在所述襯底上的正投影之外。

在本申請的一些實施例中，所述第三過孔為環(huán)繞所述第一發(fā)光結構的發(fā)光層設置的口字形過孔結構；

所述第三過孔的各部分在所述襯底上的正投影，到所述第一發(fā)光結構的發(fā)光層在所述襯底上的正投影的距離均相等。

在本申請的一些實施例中，所述第三過孔為環(huán)繞所述第一發(fā)光結構的發(fā)光層設置的匚字形過孔結構；

所述第三過孔的各部分在所述襯底上的正投影，到所述第一發(fā)光結構的發(fā)光層在所述襯底上的正投影的距離均相等。