[發明專利]發光器件及顯示基板

在審

• 申請號: 202111049861.5
• 申請日: 2021-09-08
• 公開（公告）號: CN113745378A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 滕萬鵬;劉偉星;張春芳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/36;H01L27/15
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 何家鵬;丁蕓

1.一種發光器件，其特征在于，包括襯底、第一發光結構和第二發光結構；所述第一發光結構和所述第二發光結構均包括第一半導體層、發光層和第二半導體層，所述第一半導體層設置在所述襯底上，所述發光層設置在所述第一半導體層的遠離所述襯底的一側，所述第二半導體層設置在所述發光層的遠離所述第一半導體層的一側；

所述發光器件還包括第一電極、第二電極、第三電極和第一導電層，所述第一電極通過第一過孔與所述第一發光結構的第一半導體層連接，所述第二電極的一端連接所述第一發光結構的第二半導體層，所述第二電極的另一端連接所述第二發光結構的第一半導體層，所述第三電極通過第二過孔與所述第一導電層連接，所述第一導電層與所述第二發光結構的第二半導體層連接，所述第二過孔環繞或半環繞所述第二發光結構的發光層設置，所述第二過孔在所述襯底上的正投影位于所述第二發光結構的發光層在所述襯底上的正投影之外。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二過孔為環繞所述第二發光結構的發光層設置的口字形過孔結構；

所述第二過孔的各部分在所述襯底上的正投影，到所述第二發光結構的發光層在所述襯底上的正投影的距離均相等。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二過孔為半環繞所述第二發光結構的發光層設置的匚字形過孔結構；

所述第二過孔的各部分在所述襯底上的正投影，到所述第二發光結構的發光層在所述襯底上的正投影的距離均相等。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述發光器件還包括第二導電層，所述第二電極通過第三過孔與所述第二導電層連接，所述第二導電層與第一發光結構的第二半導體層連接，所述第三過孔環繞或半環繞所述第一發光結構的發光層設置，所述第三過孔在所述襯底上的正投影位于所述第一發光結構的發光層在所述襯底上的正投影之外。

5.根據權利要求4所述的發光器件，其特征在于，所述第三過孔為環繞所述第一發光結構的發光層設置的口字形過孔結構；

所述第三過孔的各部分在所述襯底上的正投影，到所述第一發光結構的發光層在所述襯底上的正投影的距離均相等。

6.根據權利要求4所述的發光器件，其特征在于，所述第三過孔為環繞所述第一發光結構的發光層設置的匚字形過孔結構；

所述第三過孔的各部分在所述襯底上的正投影，到所述第一發光結構的發光層在所述襯底上的正投影的距離均相等。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第一發光結構的發光層的尺寸和所述第二發光結構的發光層的尺寸相等，所述第一發光結構的第一半導體層的尺寸和所述第二發光結構的第一半導體層的尺寸相等，所述第一發光結構的第二半導體層的尺寸和所述第二發光結構的第二半導體層的尺寸相等。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其特征在于，所述第一過孔在所述襯底上的正投影位于所述第一發光結構的發光層在所述襯底上的正投影之外；

所述第二電極通過第四過孔與所述第二發光結構的第一半導體層連接，所述第四過孔在所述襯底上的正投影位于所述第二發光結構的發光層在所述襯底上的正投影之外。

9.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二電極上設置有金屬膜層，所述第三電極上設置有金屬膜層。

10.根據權利要求4所述的發光器件，其特征在于，所述發光器件還包括平坦層，所述平坦層設置在所述襯底上且覆蓋所述第一發光結構、所述第二發光結構、第一導電層和所述第二導電層，所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極設置在所述平坦層的遠離所述基板的一側。