[發明專利]一種負離子美發器

在審

• 申請號: 202111049301.X
• 申請日: 2021-09-08
• 公開（公告）號: CN113576137A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 肖勇;張三平;魏綿嘉
• 申請（專利權）人: 深圳市奮達科技股份有限公司
• 主分類號: A45D1/08
• 分類號: A45D1/08;A45D1/04;A45D2/36;A45D19/16
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張欣然

1.一種負離子美發器，其特征在于，包括：負離子發生器(4)以及相對開合設置的第一夾板(1)和第二夾板(2)；

所述第一夾板(1)和所述第二夾板(2)中的至少一者設置有通槽(3)，所述負離子發生器(4)的噴射口(411)與所述通槽(3)連通，且所述負離子發生器(4)噴射的負離子經所述通槽(3)直接噴射至頭發(101)表面或所述負離子發生器(4)噴射的所述負離子相互對撞后噴射至所述頭發(101)表面。

2.根據權利要求1所述的負離子美發器，其特征在于，所述噴射口(411)的數量為至少兩個，且存在至少兩個所述噴射口(411)所噴射的所述負離子在所述通槽(3)內對撞后噴射至所述頭發(101)表面。

3.根據權利要求2所述的負離子美發器，其特征在于，所述第一夾板(1)包括間隔設置的第一加熱板(11)、第二加熱板(12)以及用于固定所述第一加熱板(11)和所述第二加熱板(12)的加熱板殼體(14)，所述加熱板殼體(14)設置有用于限制所述負離子噴出方向的導向孔(141)；

所述通槽(3)設置于所述第一加熱板(11)與所述第二加熱板(12)之間、且沿所述第一夾板(1)的長度方向設置。

4.根據權利要求3所述的負離子美發器，其特征在于，所述負離子發生器(4)包括兩個負離子針(41)，且其中一個所述負離子針(41)設置于所述通槽(3)寬度方向的一側，另一個所述負離子針(41)設置于所述通槽(3)寬度方向的另一側；

且兩個所述負離子針(41)噴射的所述負離子的噴射路徑在所述通槽(3)內相交，相交高度位于兩個所述負離子針(41)中最接近所述頭發(101)表面的噴射口(411)與所述頭發(101)表面之間。

5.根據權利要求4所述的負離子美發器，其特征在于，其中一個所述負離子針(41)設置于所述第一加熱板(11)與用于固定所述第一加熱板(11)的所述加熱板殼體(14)之間，另一個所述負離子針(41)設置于所述第二加熱板(12)與用于固定所述第二加熱板(12)的所述加熱板殼體(14)之間。

6.根據權利要求4所述的負離子美發器，其特征在于，兩個所述負離子針(41)的噴射口(411)的設置高度均相同，且兩個所述負離子針(41)所噴射所述負離子的噴射路徑在所述通槽(3)內相交的位置位于所述通槽(3)寬度方向的中間截面內。

7.根據權利要求6所述的負離子美發器，其特征在于，兩個所述負離子針(41)均包含多個數量相同的所述噴射口(411)，且其中一個所述負離子針(41)中的所述噴射口(411)與另一個所述負離子針(41)中的所述噴射口(411)一一對應設置。

8.根據權利要求4所述的負離子美發器，其特征在于，位于所述第一加熱板(11)對側的所述負離子針(41)噴射所述負離子的噴射路徑、與所述第一加熱板(11)的表面相切或低于所述第一加熱板(11)的下表面；

位于所述第二加熱板(12)對側的所述負離子針(41)噴射所述負離子的噴射路徑、與所述第二加熱板(12)的表面相切或低于所述第二加熱板(12)的下表面。

9.根據權利要求1-8任一項所述的負離子美發器，其特征在于，所述第一夾板(1)和所述第二夾板(2)均設置有所述通槽(3)，至少一個所述噴射口(411)設置于所述第一夾板(1)，至少一個所述噴射口(411)設置于所述第二夾板(2)。

10.根據權利要求1-8任一項所述的負離子美發器，其特征在于，所述第一夾板(1)設置有多個所述通槽(3)，任意所述通槽(3)內均設置有所述噴射口(411)。