[發(fā)明專利]一種實現(xiàn)無預(yù)鍍層引線框架表面引線鍵合的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111045874.5 | 申請日: | 2021-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN113782454A | 公開(公告)日: | 2021-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳中洲;張波;王子相 | 申請(專利權(quán))人: | 西安微電子技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/607 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 白文佳 |
| 地址: | 710065 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 實現(xiàn) 鍍層 引線 框架 表面 方法 | ||
1.一種實現(xiàn)無預(yù)鍍層引線框架表面引線鍵合的方法,其特征在于,包括:
步驟1,對無預(yù)鍍層引線框架載體進行去氧化處理,去除表面氧化層;
步驟2,通過電火花,將劈刀口的預(yù)留金線熔融成金球;
步驟3,通過鍵合壓力、超聲功率將金球壓扁于引線框架載體表面,使金焊球成型,同時,成型的金焊球與引線框架載體表面生成金屬間化合物,形成鍵合界面;
步驟4,將金線沿金焊球尾部切斷,在引線框架載體表面上載體地線鍵合點或引線框架內(nèi)引腳鍵合點形成金焊球;
步驟5,在預(yù)植好金焊球的引線框架載體完成上芯固化;
步驟6,進行芯片焊盤、引線框架載體以及引線框架內(nèi)引腳的引線鍵合;其中,無預(yù)鍍層區(qū)域引線鍵合在預(yù)植的金焊球上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)無預(yù)鍍層引線框架表面引線鍵合的方法,其特征在于,步驟2中,通過電火花的電流時間工藝參數(shù)包括:燒球電流為28~32mA、燒球直徑為2.4~2.8mil。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)無預(yù)鍍層引線框架表面引線鍵合的方法,其特征在于,步驟3中,鍵合工藝參數(shù)包括:進行界面鍵合的鍵合壓力為32~36g。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)無預(yù)鍍層引線框架表面引線鍵合的方法,其特征在于,步驟3中,金焊球成型的厚度為15%的球徑~45%的球徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)無預(yù)鍍層引線框架表面引線鍵合的方法,其特征在于,步驟3中,超聲功率參數(shù)包括:超聲電流為190~210mA,鍵合時間為18~24ms。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)無預(yù)鍍層引線框架表面引線鍵合的方法,其特征在于,去除表面氧化層后,對待預(yù)植金焊球的引線框架載體進行等離子清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)無預(yù)鍍層引線框架表面引線鍵合的方法,其特征在于,引線框架載體為銅引線框架載體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)無預(yù)鍍層引線框架表面引線鍵合的方法,其特征在于,步驟2、步驟3、步驟4和步驟6所述的過程在KS壓焊機上進行。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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