[發(fā)明專利]優(yōu)化針對產品單元制造的工藝序列

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111042020.1
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN113741155A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設計）人: J·S·維爾登貝爾格;M·喬徹姆森;E·詹森;E·J·M·沃勒博斯;C·J·瑞吉尼爾瑟;B·拉加瑟克哈蘭;R·沃克曼;J·J·H·M·舒努斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G05B19/418
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 郭星

本公開涉及優(yōu)化針對產品單元制造的工藝序列。一種用于優(yōu)化針對產品單元制造的工藝序列的方法，該方法包括：將性能參數(指紋)的測量結果與記錄的工藝特性(上下文)相關聯(lián)(406)；獲取(408)序列中已經對產品單元執(zhí)行的先前工藝(例如，沉積)的特性(上下文)；獲取(410)序列中要對產品單元執(zhí)行的后續(xù)工藝(曝光)的特性(上下文)；通過使用所獲取的特性來取回與所記錄的特性相對應的性能參數(指紋)的測量結果，確定(412)與先前工藝和后續(xù)工藝的序列相關聯(lián)的產品單元的預測性能參數(指紋)；以及基于所確定的預測性能參數，確定(414，416)要對序列中要對產品單元執(zhí)行的未來工藝(例如，曝光、蝕刻)應用(418)的校正。

相關申請的交叉引用

本申請是國際申請?zhí)枮镻CT/US2018/057961、國際申請日為2018年3月28日、進入中國國家階段日期為2019年10月25日、中國國家申請?zhí)枮?01880027429.6、發(fā)明名稱為“優(yōu)化針對產品單元制造的工藝序列”的發(fā)明專利申請的分案申請。

本申請要求于2017年4月28日提交的EP/US申請17168734.6的優(yōu)先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發(fā)明涉及一種優(yōu)化針對產品單元制造的工藝序列的方法，該方法可用于例如通過光刻技術制造半導體器件晶片。本發(fā)明還涉及相關聯(lián)的計算機程序和計算機程序產品以及設備。

背景技術

光刻設備是一種將期望圖案施加到襯底上(通常是施加到襯底的目標部分上)的機器。光刻設備可以用于例如集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以使用圖案化器件(其備選地稱為掩模或掩模版)生成要形成在IC的個體層上的電路圖案。可以將這種圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一個或幾個管芯的一部分)上。圖案的轉移通常是經由成像到設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行的。通常，單個襯底將包含連續(xù)圖案化的相鄰目標部分的網絡。這些目標部分通常稱為“場”。通過半導體制造設施(fab)中的各種設備對晶片進行批或批量處理。集成電路由光刻設備在每一層執(zhí)行的光刻步驟逐層構建，并且在光刻步驟之間執(zhí)行其他制造工藝。

在成像步驟之前，使用各種化學和/或物理處理步驟來形成和準備用于圖案化的層。在成像步驟限定圖案之后，進一步的化學和/或物理處理步驟貫穿圖案工作，以創(chuàng)建集成電路的功能特征。在多層工藝中重復成像和處理步驟以構建集成電路。

圖案在襯底上的準確放置是對減小電路組件和可以由光刻產生的其他產品的尺寸的主要挑戰(zhàn)。特別地，準確地測量已經鋪設的襯底上的特征的挑戰(zhàn)是關鍵步驟，其能夠使連續(xù)的特征層足夠精確地疊加對準，以便以高生產率生產工作器件。通常，在當今的亞微米半導體器件中，所謂的覆蓋應當在幾十納米以內，而在最關鍵的層中則應當低到幾納米。

因此，現(xiàn)代光刻設備涉及在目標位置實際曝光或以其他方式對襯底進行圖案化的步驟之前進行廣泛的測量或“映射”操作。已經并且將繼續(xù)開發(fā)所謂的高級對準模型，以更準確地建模和校正由處理步驟和/或光刻設備本身引起的晶片“網格”的非線性畸變。但是，并不是所有的畸變在曝光期間都是可以校正的，因此，追蹤和消除造成這種畸變的原因仍然是很重要的。

現(xiàn)代的多層光刻工藝和產品是如此復雜，以至于由于處理而引起的問題很難追溯到根本原因。因此，監(jiān)測晶片完整性和設計適當的校正策略是一項耗時且費力的工作。

通過引用整體并入本文的國際專利申請WO 2015049087公開了一種獲取與工業(yè)工藝有關的診斷信息的方法。在光刻工藝的執(zhí)行期間的各個階段進行對準數據或其他測量，以獲取表示位置偏差或在跨每個晶片的空間分布的點處測量的其他參數的對象數據。覆蓋和對準殘差通常會示出跨整個晶片的圖案，稱為指紋。該對象數據用于獲取診斷信息，該診斷信息通過執(zhí)行多元分析以將表示多維空間中的晶片的向量集合分解為一個或多個分量向量。使用分量向量提取有關工業(yè)工藝的診斷信息。可以基于所提取的診斷信息來控制針對后續(xù)晶片的工業(yè)工藝的性能。