[發(fā)明專利]一種減少PI膠絲殘留的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111024982.4
• 申請日: 2021-09-02
• 公開（公告）號(hào): CN113703292A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳思穎;楊明;何嘉賓;劉光明;劉珍一;王大偉;楊惠;歐博文
• 申請（專利權(quán)）人: 四川廣義微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/30
• 分類號(hào): G03F7/30;G03F7/42
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 史麗紅

本發(fā)明公開了一種減少PI膠絲殘留的方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，解決了PI膠絲殘留的問題，其技術(shù)方案要點(diǎn)是：步驟一，對(duì)產(chǎn)品片的非感光PI膠表面涂抹光刻膠，并采用光刻工藝進(jìn)行曝光處理，再對(duì)曝光處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行烘烤處理；步驟二，將烘烤處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行冷板處理；步驟三，將冷板處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行顯影處理；步驟四，將顯影處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行硬烤處理；達(dá)到去除die邊緣高臺(tái)階側(cè)向腐蝕形成角落或者縫隙內(nèi)的PI膠絲殘留，以去除劃片道及PAD層的膠絲殘留。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地說，它涉及一種減少PI膠絲殘留的方法。

背景技術(shù)

目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)中，對(duì)介質(zhì)光刻后，劃片道和PAD區(qū)出現(xiàn)大量膠絲殘留，由于前一層金屬層使用濕法刻蝕工藝，濕法刻蝕會(huì)產(chǎn)生側(cè)向腐蝕，die邊緣高臺(tái)階處被側(cè)向腐蝕形成角落或者縫隙，在PAD層涂膠時(shí)容易隱藏的膠絲，這些膠絲無法被完全腐蝕掉而形成殘留。這些殘留膠絲會(huì)極大的影響外觀和產(chǎn)品的電性參數(shù)。

傳統(tǒng)的處理方法采用常常是在光刻工藝中增加曝光的功率，或者增加顯影時(shí)間來處理。但是效果往往都不理想，甚至造成過曝光或者過顯影的損害。

基于以上問題，需要對(duì)傳統(tǒng)的工藝方法進(jìn)行改進(jìn)，從而解決劃片道和PAD層出現(xiàn)膠絲殘留的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是濕法刻蝕工藝會(huì)使得劃片道的die邊緣高臺(tái)階側(cè)向腐蝕形成角落或者縫隙，這些PI膠絲在角落或者縫隙無法被完全腐蝕掉而形成殘留，本發(fā)明的目的是提供一種減少PI膠絲殘留的方法，達(dá)到去除die邊緣高臺(tái)階側(cè)向腐蝕形成角落或者縫隙內(nèi)的PI膠絲殘留，以去除劃片道及PAD層的膠絲殘留。

本發(fā)明的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的：

一種減少PI膠絲殘留的方法，所述方法包括：

步驟一，對(duì)產(chǎn)品片的非感光PI膠表面涂抹光刻膠，并采用光刻工藝進(jìn)行曝光處理，再對(duì)曝光處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行烘烤處理；

步驟二，將烘烤處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行冷板處理；

步驟三，將冷板處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行顯影處理；

步驟四，將顯影處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行硬烤處理。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中PI產(chǎn)品在做PI光刻時(shí)，濕法刻蝕工藝會(huì)使得劃片道的die邊緣高臺(tái)階側(cè)向腐蝕形成角落或者縫隙，這些PI膠絲在角落或者縫隙無法被完全腐蝕掉而形成殘留，導(dǎo)致劃片道和PAD區(qū)出現(xiàn)大量膠絲殘留，劃片道膠絲雖不影響產(chǎn)品電性能參數(shù)，但外觀質(zhì)檢不合格；PAD區(qū)膠絲殘留對(duì)后面封裝成品電性參數(shù)影響很大，需要在晶圓出廠前進(jìn)行涂黑，影響產(chǎn)品良率。

基于此，本發(fā)明在產(chǎn)品片的非感光PI膠表面涂抹光刻膠，對(duì)產(chǎn)品片做曝光處理及烘烤處理，在對(duì)經(jīng)過烘烤處理的產(chǎn)品片做冷板處理，均是采用的現(xiàn)有技術(shù)，在此不贅述；對(duì)冷板處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行顯影處理，此處工藝處理中，通過在振蕩顯影環(huán)節(jié)預(yù)留光刻膠用以包裹die邊緣高臺(tái)階，通過控制振蕩顯影的時(shí)間來使得光刻膠剛好可以包裹die邊緣高臺(tái)階因濕法刻蝕工藝所形成的角落或者縫隙，避免die邊緣高臺(tái)階在高速旋轉(zhuǎn)時(shí)角落或者縫隙里的PI膠甩出來形成PI膠絲殘留；最后在對(duì)經(jīng)過顯影后的產(chǎn)品片進(jìn)行烘烤處理，也是現(xiàn)有技術(shù)，在此不贅述。

進(jìn)一步的，所述步驟一中的烘烤的溫度為115℃，烘烤的時(shí)間為60s。

進(jìn)一步的，所述步驟二中的冷板處理的溫度為23℃，冷板的時(shí)間為60s。

進(jìn)一步的，所述步驟三的顯影處理的步驟如下：將冷板處理后的產(chǎn)品片沖水處理，對(duì)沖水處理后的產(chǎn)品片進(jìn)行甩干處理；

將顯影液噴在已甩干表面水分的產(chǎn)品片上；

對(duì)噴顯影液的產(chǎn)品片進(jìn)行振蕩顯影處理；

對(duì)振蕩顯影處理后的產(chǎn)品片再次進(jìn)行沖水及甩干處理。