[發明專利]一種基于成像亮度計的OLED屏幕子像素亮度提取方法有效
| 申請號: | 202111023231.0 | 申請日: | 2021-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN113470562B | 公開(公告)日: | 2021-11-19 |
| 發明(設計)人: | 蔡劍;李堃;葉選新;蔡杰羽;石炳磊;白海楠;朱詩文 | 申請(專利權)人: | 葦創微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 廣州京諾知識產權代理有限公司 44407 | 代理人: | 于睿虬 |
| 地址: | 201306 上海市浦東新區中國(上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 成像 亮度計 oled 屏幕 像素 亮度 提取 方法 | ||
1.一種基于成像亮度計的OLED屏幕子像素亮度提取方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1:調整成像亮度計的焦距、位置以及曝光時間,拍攝待測顯示屏輸出的圖片,使所述成像亮度計獲取的最大亮度值處于預設亮度范圍內;
S2:根據S1拍攝到的圖像獲得空間采樣倍率K;
S3:根據S2計算得到的空間采樣倍率K,將S1拍攝到的圖像分割成若干個子像素團,每個所述子像素團對應待測顯示屏的一個子像素,對至少一個所述子像素團以二維彌散模型進行曲面擬合,得到彌散系數或者其平均值;
其中,所述二維彌散模型為預設的彌散圓亮度的二維分布模型,所述彌散系數為二維彌散模型的參數;
S4:根據S3得到的彌散系數或者其平均值,以二維彌散模型進行模擬得到模擬彌散圓,并且對不同采樣位置計算出對應的模擬采樣團,所述模擬采樣團為所述模擬彌散圓在一個子像素團的各個采樣點處的相對亮度值,所述采樣位置為所述子像素團的采樣點相對于模擬彌散圓中心的位置;
S5:將S4中計算得到的模擬采樣團與所述子像素團的實際數據進行匹配,得到擬合度最高的各個子像素團的采樣位置,并根據采樣位置擬合計算每個子像素團對應的模擬彌散圓中心的擬合亮度值,作為待測顯示屏的子像素亮度值。
2.根據權利要求1所述的基于成像亮度計的OLED屏幕子像素亮度提取方法,其特征在于,所述S3、S4中的二維彌散模型為二維正態分布模型,所述模擬彌散圓在歸一化后符合二維正態分布公式(1):
(1);
式中f(x,y)即坐標為(x,y)處的歸一化的亮度值,σ1、σ2分別為橫向、縱向的彌散系數,ρ為關聯性參數,μ1、μ2為中心位置參數;
設拍攝系統是各向同性的,則記σ1=σ2 = σ,ρ=0;
模擬彌散圓中心是原點時,μ1 = μ2 = 0,公式(1)簡化為公式(2):
(2)。
3.根據權利要求2所述的基于成像亮度計的OLED屏幕子像素亮度提取方法,其特征在于,S4中,所述采樣位置的獲取方法如下:
根據空間采樣倍率K,在0到1/K的范圍內,取若干個采樣相位值形成集合{Φ},對橫向采樣相位和縱向采樣相位分別取集合{Φ}中的一個值形成相位組合(Φx,Φy),作為采樣位置,所述相位組合(Φx,Φy)表示的是所述子像素團中在模擬彌散圓中心右下方最接近模擬彌散圓中心的采樣點在公式(2)中的坐標位置(x,y)。
4.根據權利要求3所述的基于成像亮度計的OLED屏幕子像素亮度提取方法,其特征在于,所述取若干個采樣相位值形成集合{Φ},具體為:
取0,1/(nK),2/(nK),……,(n-1)/(nk)形成集合{Φ},其中n為正整數。
5.根據權利要求1所述的基于成像亮度計的OLED屏幕子像素亮度提取方法,其特征在于,S5中,所述將S4中計算得到的模擬采樣團與所述子像素團的實際數據進行匹配,得到擬合度最高的各個子像素團的采樣位置,具體為:
將S4中計算得到的模擬采樣團與一個第一子像素團的實際數據進行匹配,得到所述第一子像素團擬合度最高的采樣位置,將子像素團的空間位置周期性分布規律,與采樣點的空間位置周期性分布規律進行比較,得到遞推公式,通過遞推得到其他子像素團的擬合度最高的采樣位置。
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