[發明專利]存儲器及其形成方法

在審

• 申請號: 202111019363.6
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN113707665A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 劉毅華;劉峻;范魯明
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高翠花

1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底、形成于所述襯底之上的存儲堆疊結構、貫穿所述存儲堆疊結構的溝道柱結構和隔離墻，所述隔離墻底部的襯底內形成有共源極；

對所述襯底背面進行減薄；

在所述減薄后的襯底背面形成導電層，連接所述共源極，所述導電層作為共源極接觸部。

2.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，在所述減薄后的襯底背面形成導電層，連接所述共源極，所述導電層作為共源極接觸部的步驟進一步包括如下步驟：

在所述減薄后的襯底背面形成介質層；

刻蝕所述介質層，形成開口，所述開口暴露出所述襯底內的共源極；

在所述開口內填充所述導電層，連接所述共源極，所述導電層作為共源極接觸部。

3.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，對所述襯底背面進行減薄的步驟中，暴露出形成在所述襯底內的介質層；刻蝕所述介質層，形成開口，所述開口暴露出所述襯底內的共源極；在所述開口內填充導電層，連接所述共源極，所述導電層作為共源極接觸部。

4.根據權利要求3所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述襯底包括體硅層、介質層、薄硅層組層，所述介質層形成在體硅層和薄硅層之間。

5.根據權利要求3所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述暴露出形成在所述襯底內的介質層的方法包括：去除所述襯底中的體硅層結構，直至暴露出所述介質層。

6.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述隔離墻底部的襯底內形成有共源極摻雜區。

7.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述存儲堆疊結構包括交替堆疊的絕緣層和控制柵層。

8.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，提供一存儲基底，所述存儲基底包括所述襯底、形成于所述襯底之上的存儲堆疊結構、貫穿所述存儲堆疊結構的溝道柱結構和隔離墻，所述隔離墻底部的襯底內形成有共源極。

9.根據權利要求8所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述存儲基底的形成方法包括：

提供所述襯底，在所述襯底之上形成初始堆疊結構，所述初始堆疊結構包括交替堆疊的絕緣層和犧牲層；

形成貫穿所述初始堆疊結構的溝道柱結構；

形成貫穿所述初始堆疊結構的柵線隔槽；

對所述柵線隔槽底部的襯底進行摻雜，形成共源極；

沿所述柵線隔槽去除所述犧牲層；

在相鄰的絕緣層之間形成控制柵層；

填充所述柵線隔槽，形成隔離墻。

10.根據權利要求8所述的存儲器的形成方法，其特征在于，還包括：提供電路基底，在對所述襯底背面進行減薄之前，將所述存儲基底正面與所述電路基底正面鍵合連接。

11.根據權利要求2或3所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述開口的寬度小于或等于所述共源極摻雜區的寬度。

12.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述存儲基底正面的存儲堆疊結構頂部還形成有連接溝道柱結構部頂部的位線。

13.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底、形成于所述襯底之上的存儲堆疊結構、貫穿所述存儲堆疊結構的溝道柱結構和隔離墻，所述隔離墻底部的襯底內形成有共源極；

位于所述襯底背面連接至所述共源極的導電層，所述導電層作為共源極接觸部。

14.根據權利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述共源極包括共源極摻雜區。