[發明專利]半導體結構的形成方法

在審

• 申請號: 202111011723.8
• 申請日: 2021-08-31
• 公開（公告）號: CN115732411A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 陳卓凡
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括阻擋區和圖形區，所述基底包括用于形成目標圖形的目標層，所述圖形區的目標層上形成有核心層，所述核心層中形成有貫穿所述核心層的溝槽；

在所述溝槽的側壁形成側墻層；

形成所述側墻層之后，在所述阻擋區的所述溝槽中形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述側墻層的相對側壁，所述阻擋層在所述溝槽的延伸方向上分割相對應的所述溝槽；

形成所述阻擋層后，去除所述圖形區的所述核心層，露出所述目標層的待刻蝕區域；

去除所述核心層之后，以所述側墻層和阻擋層為掩膜刻蝕所述目標層，在所述目標層中形成目標圖形。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述阻擋區的所述溝槽中形成阻擋層的步驟包括：在所述基底的頂部形成填充層，所述填充層覆蓋所述核心層和側墻層的頂部，并填充于所述溝槽中；去除所述阻擋區的所述填充層，在所述填充層中形成開口，沿所述核心層的延伸方向，所述開口露出所述阻擋區的所述溝槽底部，且在與所述核心層延伸方向相垂直的方向上，所述開口露出所述側墻層的相對側壁；在所述開口露出的所述溝槽中形成阻擋層；

形成所述阻擋層之后，在去除所述圖形區的所述核心層之前，還包括：去除剩余的所述填充層。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述開口露出的所述溝槽中形成阻擋層的步驟包括：采用選擇性沉積工藝，在所述開口露出的所述側墻層側壁形成阻擋層，且所述側墻層的相對側壁的阻擋層相接觸。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，以與所述核心層延伸方向相垂直的方向為橫向，在所述填充層中形成開口的步驟中，所述開口還沿所述橫向向兩側延伸，并露出與所述阻擋區相鄰的所述核心層的部分頂部；

所述阻擋層還形成于所述開口露出的所述側墻層的頂部。

5.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述阻擋區的所述填充層的步驟包括：在所述填充層的頂部形成具有第一掩膜開口的第一掩膜層，所述第一掩膜開口位于所述阻擋區上方；以所述第一掩膜層掩膜，刻蝕去除所述阻擋區的所述填充層；去除所述第一掩膜層。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述溝槽的側壁形成側墻層的步驟包括：在所述溝槽的底部和側壁、以及所述核心層的頂部形成側墻材料層；去除所述核心層頂部和溝槽底部的所述側墻材料層，保留位于所述溝槽側壁的剩余所述側墻材料層作為所述側墻層。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述溝槽的側壁形成側墻層的步驟包括：形成圍繞所述核心層的側墻組，所述側墻組包括位于所述溝槽側壁且與所述核心層延伸方向相同的側墻層、以及連接所述側墻層的側墻連接部；

去除所述核心層之后，在所述目標層中形成目標圖形之前，還包括：去除所述側墻連接部。

8.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述圖形區的所述核心層的工藝包括濕法刻蝕工藝。

9.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除剩余的所述填充層的步驟中，所述填充層與所述阻擋層的刻蝕選擇比大于10：1。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述核心層的材料包括A-C、SOC、和SOH中的一種或多種。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述側墻層的材料包括SiN和SiON中的一種或多種。

12.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述填充層的材料包括A-C、SOC、和SOH中的一種或多種。