[發明專利]一種硅片檢測裝置

在審

• 申請號: 202110997707.4
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113624777A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 盧亞賓;梁坤;張聰;云宏霞;曹深深
• 申請（專利權）人: 博眾精工科技股份有限公司
• 主分類號: G01N21/94
• 分類號: G01N21/94;G01N21/84;G01N21/88
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 王亞瓊

本發明涉及硅片檢測設備領域，公開了一種硅片檢測裝置。其包括傳送單元、發光單元、反射單元、第一采集單元和第二采集單元。傳送單元能夠將硅片由第一檢測位置沿傳送方向傳送至第二檢測位置；發光單元包括第一光源和第二光源，分別置于傳送單元垂直于傳送方向的兩側；反射單元置于傳送單元遠離第一光源的一側，反射單元包括兩個反射鏡，沿傳送方向間隔設置并形成采集間隙；第一采集單元置于傳送單元遠離第二光源的一側；第二采集單元設置在反射單元遠離傳送單元的一側，第二采集單元能夠通過采集間隙采集處于第一檢測位置與第二檢測位置之間的硅片的圖像。本發明在同一工序內完成硅片的崩邊及臟污的檢測，提高了結構緊湊性。

技術領域

本發明涉及硅片檢測設備領域，尤其涉及一種硅片檢測裝置。

背景技術

硅片是半導體產業的主要襯底材料，廣泛應用于集成電路、光伏電池等產業中，是支撐當今半導體產業乃至社會技術發展的基礎材料。隨著太陽能行業的發展，太陽能電池片廠家對良品率的要求與日俱增。硅片作為一種典型的硬脆材料，崩邊以及臟污等缺陷均會影響光伏產品的性能和壽命。目前在硅片的生產過程中，檢查崩邊和臟污是相互獨立的兩個工序，設備體積較大，空間利用率較低。

基于此，亟需一種硅片檢測裝置用來解決如上提到的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種硅片檢測裝置，在同一工序內完成硅片的崩邊及臟污的檢測，提高了裝置的結構緊湊程度，提高了空間利用率，也提高了檢測效率。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

一種硅片檢測裝置，包括：

傳送單元，能夠將硅片由第一檢測位置沿傳送方向傳送至第二檢測位置，所述硅片沿所述傳送方向的兩側邊緣分別為第一邊緣和第二邊緣；

發光單元，包括第一光源和第二光源，所述第一光源與所述第二光源分別置于所述傳送單元垂直于所述傳送方向的兩側；

反射單元，置于所述傳送單元遠離所述第一光源的一側，所述反射單元包括兩個反射鏡，兩個所述反射鏡沿所述傳送方向間隔設置并形成有采集間隙；

第一采集單元，置于所述傳送單元遠離所述第二光源的一側，當所述硅片位于所述第一檢測位置時，所述第一采集單元能夠通過其中一個所述反射鏡采集到所述第一邊緣的圖像，當所述硅片位于所述第二檢測位置時，所述第一采集單元能夠通過另一個所述反射鏡采集到所述第二邊緣的圖像；

第二采集單元，設置在所述反射單元遠離所述傳送單元的一側，所述第二采集單元能夠通過所述采集間隙采集處于所述第一檢測位置與所述第二檢測位置之間的所述硅片的圖像。

作為一種硅片檢測裝置的可選技術方案，所述傳送單元包括沿所述傳送方向間隔設置的兩個傳送件，所述傳送件能夠沿所述傳送方向傳送所述硅片，兩個所述傳送件之間形成有檢測空間，所述反射單元正對所述檢測空間設置；當所述硅片位于所述第一檢測位置時，所述硅片的所述第一邊緣置于所述檢測空間內，當所述硅片位于所述第二檢測位置時，所述硅片的所述第二邊緣置于所述檢測空間內。

作為一種硅片檢測裝置的可選技術方案，兩個所述反射鏡遠離所述傳送單元的一端均朝向靠近彼此的方向傾斜設置，且所述第一采集單元與反射單元正對設置。

作為一種硅片檢測裝置的可選技術方案，所述第一采集單元包括沿所述傳送方向排布的兩個第一采集件，兩個所述第一采集件與兩個所述反射鏡一一正對設置。

作為一種硅片檢測裝置的可選技術方案，所述第一采集單元包括一個第一采集件，所述第一采集件為面陣相機，所述第一采集件與反射單元正對設置，所述第一采集件能夠通過兩個所述反射鏡同時采集所述第一邊緣和所述第二邊緣的圖像。