[發明專利]一種硅片檢測裝置

在審

• 申請號: 202110997707.4
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113624777A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 盧亞賓;梁坤;張聰;云宏霞;曹深深
• 申請（專利權）人: 博眾精工科技股份有限公司
• 主分類號: G01N21/94
• 分類號: G01N21/94;G01N21/84;G01N21/88
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 王亞瓊

1.一種硅片檢測裝置，其特征在于，包括：

傳送單元，能夠將硅片(10)由第一檢測位置沿傳送方向傳送至第二檢測位置，所述硅片(10)沿所述傳送方向的兩側邊緣分別為第一邊緣和第二邊緣；

發光單元，包括第一光源(1)和第二光源(2)，所述第一光源(1)與所述第二光源(2)分別置于所述傳送單元垂直于所述傳送方向的兩側；

反射單元(5)，置于所述傳送單元遠離所述第一光源(1)的一側，所述反射單元(5)包括兩個反射鏡(51)，兩個所述反射鏡(51)沿所述傳送方向間隔設置并形成有采集間隙(511)；

第一采集單元，置于所述傳送單元遠離所述第二光源(2)的一側，當所述硅片(10)位于所述第一檢測位置時，所述第一采集單元能夠通過其中一個所述反射鏡(51)采集到所述第一邊緣的圖像，當所述硅片(10)位于所述第二檢測位置時，所述第一采集單元能夠通過另一個所述反射鏡(51)采集到所述第二邊緣的圖像；

第二采集單元，設置在所述反射單元(5)遠離所述傳送單元的一側，所述第二采集單元能夠通過所述采集間隙(511)采集處于所述第一檢測位置與所述第二檢測位置之間的所述硅片(10)的圖像。

2.根據權利要求1所述的硅片檢測裝置，其特征在于，所述傳送單元包括沿所述傳送方向間隔設置的兩個傳送件(6)，所述傳送件(6)能夠沿所述傳送方向傳送所述硅片(10)，兩個所述傳送件(6)之間形成有檢測空間(61)，所述反射單元(5)正對所述檢測空間(61)設置；當所述硅片(10)位于所述第一檢測位置時，所述硅片(10)的所述第一邊緣位于所述檢測空間(61)內，當所述硅片(10)位于所述第二檢測位置時，所述硅片(10)的所述第二邊緣位于所述檢測空間(61)內。

3.根據權利要求2所述的硅片檢測裝置，其特征在于，兩個所述反射鏡(51)遠離所述傳送單元的一端均朝向靠近彼此的方向傾斜設置，且所述第一采集單元與所述反射單元(5)正對設置。

4.根據權利要求3所述的硅片檢測裝置，其特征在于，所述第一采集單元包括沿所述傳送方向排布的兩個第一采集件(3)，兩個所述第一采集件(3)與兩個所述反射鏡(51)一一正對設置。

5.根據權利要求3所述的硅片檢測裝置，其特征在于，所述第一采集單元包括一個第一采集件(3)，所述第一采集件(3)為面陣相機，所述第一采集件(3)與所述反射單元(5)正對設置，所述第一采集件(3)能夠通過兩個所述反射鏡(51)同時采集所述第一邊緣和所述第二邊緣的圖像。

6.根據權利要求4或5所述的硅片檢測裝置，其特征在于，所述第一光源(1)設置為面光源，所述第一光源(1)上設置有透光通道，所述第一光源(1)置于所述第一采集單元與所述傳送單元之間，所述第一采集單元能夠通過所述透光通道采集所述第一邊緣和所述第二邊緣的圖像。

7.根據權利要求4或5所述的硅片檢測裝置，其特征在于，所述第一光源(1)設置有兩個，兩個所述第一光源(1)沿所述傳送方向間隔設置，兩個所述第一光源(1)的光路傾斜于所述傳送方向設置，且兩個所述第一光源(1)分別對應照射所述第一檢測位置處的所述硅片(10)的所述第一邊緣以及所述第二檢測位置處的所述硅片(10)的所述第二邊緣，所述第一采集單元置于兩個所述第一光源(1)之間。

8.根據權利要求1-5任一項所述的硅片檢測裝置，其特征在于，所述第二采集單元包括第二采集件(4)，所述第二采集件(4)為線陣相機，所述第二光源(2)置于所述反射單元(5)與所述第二采集件(4)之間并開設有透光縫隙，所述透光縫隙與所述采集間隙(511)正對設置，所述第二采集件(4)能夠依次通過所述透光縫隙與所述采集間隙(511)采集所述硅片(10)的圖像。

9.根據權利要求1-5任一項所述的硅片檢測裝置，其特征在于，所述硅片檢測裝置還包括上料單元，所述上料單元能夠拾取所述硅片(10)并向所述傳送單元供給所述硅片(10)。

10.根據權利要求1-5任一項所述的硅片檢測裝置，其特征在于，所述反射單元(5)還包括調節架(52)，每個所述反射鏡(51)均設置在一個所述調節架(52)上，所述調節架(52)能夠調節所述反射鏡(51)的角度。