[發明專利]套刻誤差的補償方法、補償裝置、光刻機及存儲介質

在審

• 申請號: 202110996234.6
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113777893A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 曾健忠
• 申請（專利權）人: 深圳天狼芯半導體有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 趙智博

本申請適用于半導體技術領域，提供了一種套刻誤差的補償方法、補償裝置、光刻機及存儲介質。該補償方法包括：從N個對準記號中，確定M個待插值記號組，待插值記號組包括至少兩個對準記號；獲取N個對準記號的套刻誤差；對于第i個待插值記號組，第i個待插值記號組為M個待插值記號組中的任一待插值記號組，根據第i個待插值記號組中的所有對準記號的套刻誤差，確定第i個待插值記號組對應的插值點的套刻誤差；根據N個對準記號的套刻誤差和M個待插值記號組對應的插值點的套刻誤差，對晶圓進行誤差補償。通過可本申請可在不增加晶圓上對準記號的基礎上，得到較多的套刻誤差，基于這些套刻誤差，對晶圓進行誤差補償，能夠提高套刻精度。

技術領域

本申請屬于半導體技術領域，尤其涉及一種套刻誤差的補償方法、補償裝置、光刻機及存儲介質。

背景技術

晶圓在光刻工藝中有兩個重要的流程，分別是對準和曝光。在對晶圓進行對準時，較常用的方法是在晶圓上設置對準記號，通過對對準記號的掃描和對準，實現晶圓的對準。

晶圓上的對準記號可以用來搜索套刻誤差，以進行誤差補償，提高套刻精度。但是由于晶圓的面積限制，導致晶圓上設置的對準記號的數量有限，進而導致套刻誤差的數量有限，套刻精度較低。

發明內容

本申請實施例提供了一種套刻誤差的補償方法、補償裝置、光刻機及存儲介質，以解決現有技術中晶圓上設置的對準記號的數量有限，導致套刻誤差的數量有限，套刻精度較低的問題。

第一方面，本申請實施例提供了一種套刻誤差的補償方法，晶圓上設置有N個對準記號，N為大于1的整數，所述補償方法包括：

從N個所述對準記號中，確定M個待插值記號組，M為大于零的整數，所述待插值記號組包括至少兩個對準記號；

獲取N個所述對準記號的套刻誤差；

對于第i個所述待插值記號組，第i個所述待插值記號組為M個所述待插值記號組中的任一所述待插值記號組，根據第i個所述待插值記號組中的所有對準記號的套刻誤差，確定第i個所述待插值記號組對應的插值點的套刻誤差；

根據N個所述對準記號的套刻誤差和M個所述待插值記號組對應的插值點的套刻誤差，對所述晶圓進行誤差補償。

第二方面，本申請實施例提供了一種套刻誤差的補償裝置，晶圓上設置有N個對準記號，N為大于1的整數，所述補償裝置包括：

記號組確定模塊，用于從N個所述對準記號中，確定M個待插值記號組，M為大于零的整數，所述待插值記號組包括至少兩個對準記號；

誤差獲取模塊，用于獲取N個所述對準記號的套刻誤差；

誤差確定模塊，用于對于第i個所述待插值記號組，第i個所述待插值記號組為M個所述待插值記號組中的任一所述待插值記號組，根據第i個所述待插值記號組中的所有對準記號的套刻誤差，確定第i個所述待插值記號組對應的插值點的套刻誤差；

誤差補償模塊，用于根據N個所述對準記號的套刻誤差和M個所述待插值記號組對應的插值點的套刻誤差，對所述晶圓進行誤差補償。

第三方面，本申請實施例提供了一種光刻機，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現如上述第一方面所述補償方法的步驟。

第四方面，本申請實施例提供了一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現如上述第一方面所述補償方法的步驟。

第五方面，本申請實施例提供了一種計算機程序產品，當所述計算機程序產品在光刻機上運行時，使得所述光刻機執行如上述第一方面所述補償方法的步驟。