[發(fā)明專利]顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110994985.4
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113745266B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張延任;王彥凱
• 申請（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/48;H01L33/60
• 代理公司: 北京市立康律師事務(wù)所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

本發(fā)明公開了一種顯示裝置，包括基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)發(fā)光元件、第一降反射層及第二降反射層。掃描線及數(shù)據(jù)線分別沿第一方向與第二方向延伸。發(fā)光元件被掃描線及數(shù)據(jù)線圍繞。第一降反射層覆蓋掃描線和數(shù)據(jù)線，且具有多個(gè)開口，其中多個(gè)開口暴露出發(fā)光元件。在顯示裝置的俯視圖中，第二降反射層至少與第一降反射層重疊。發(fā)光元件的發(fā)光波長不同于第二降反射層的吸收波長。第一降反射層的吸收波長不同于第二降反射層的吸收波長。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種具有至少兩種降反射層的顯示裝置。

背景技術(shù)

微型發(fā)光二極管(Micro-Light?Emitting?Diode，mLED)具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產(chǎn)生及低功率消耗等優(yōu)點(diǎn)，在目前也已被應(yīng)用于平板及小型尺寸的顯示裝置。目前采用微型發(fā)光二極管的顯示面板中金屬走線外露無遮蔽，易導(dǎo)致顯示面板存在高反射率的問題。

一般解決方式例如為：實(shí)施抗反射表面處理(Anti-Reflect?surface?treatment)以形成一抗反射膜于顯示面板上，如此可降低約4％的反射率；或者，將一圓偏光片(circular?polarizer)配置于顯示面板上，雖可降低約95％的反射率，然圓偏光片會遮擋住設(shè)置有發(fā)光元件的區(qū)域(即顯示面板的發(fā)光區(qū))，使得顯示面板的穿透率下降約60％；或者，形成黑矩陣(Black?matrix，BM)于金屬走線上，然目前形成黑矩陣的制程受限于制程能力而無法大面積完全地覆蓋于金屬走線上，且若采用圓偏光片遮蔽露出的金屬走線時(shí)，仍存在上述顯示面板的穿透率下降約60％的問題。因此如何設(shè)計(jì)出同時(shí)兼具低反射率及高穿透率的顯示裝置，已成為本領(lǐng)域研究人員的一大挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種顯示裝置，其設(shè)計(jì)可有助于在降低反射率的同時(shí)，也可避免穿透率下降及維持色相等色彩特性優(yōu)異，進(jìn)而提升顯示裝置的顯示效果。

本發(fā)明的至少一實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)發(fā)光元件、第一降反射層及第二降反射層。掃描線配置于基板上，且沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線配置于基板上，且沿第二方向延伸，其中第一方向與第二方向相交。發(fā)光元件陣列排列于基板上。每一發(fā)光元件被多條掃描線的相鄰兩條及多條數(shù)據(jù)線的相鄰兩條圍繞，且發(fā)光元件與多條掃描線的其中一者和多條數(shù)據(jù)線的其中一者電性連接。第一降反射層覆蓋多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，且具有多個(gè)開口，其中開口暴露出發(fā)光元件。第二降反射層配置于基板上。在顯示裝置的俯視圖中，第二降反射層至少與第一降反射層重疊。發(fā)光元件的發(fā)光波長不同于第二降反射層的吸收波長，第一降反射層的吸收波長不同于第二降反射層的吸收波長。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一降反射層的顏色包括棕色，上述第二降反射層的顏色包括偏藍(lán)色。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，經(jīng)第一降反射層反射的反射光在D65光源條件下的國際照明委員會(Commission?Internationale?del’Eclairage，CIE)色度坐標(biāo)(x,y)滿足下述式(1)與式(2)：

0.350≦x≦0.400????式(1)

0.350≦y≦0.400????式(2)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，經(jīng)第一降反射層反射且穿透第二降反射層的反射光在D65光源條件下的CIE色度坐標(biāo)(x,y)滿足下述式(3)與式(4)：

0.280≦x≦0.350????式(3)

0.280≦y≦0.350????式(4)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二降反射層的吸收波長為590nm～600nm，且第二降反射層在波長為590nm～600nm的光穿透率為0.30以下。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二降反射層全面性地覆蓋于基板上。