[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 202110994985.4 | 申請日: | 2021-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN113745266B | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發明(設計)人: | 張延任;王彥凱 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
基板;
多條掃描線,配置于所述基板上,且沿第一方向延伸;
多條數據線,配置于所述基板上,且沿第二方向延伸,其中所述第一方向與所述第二方向相交;
多個發光元件,陣列排列于所述基板上,每一所述發光元件被所述多條掃描線的相鄰兩條及所述多條數據線的相鄰兩條圍繞,且所述發光元件與所述多條掃描線的其中一者和所述多條數據線的其中一者電性連接;
第一降反射層,覆蓋所述多條掃描線和所述多條數據線,且具有多個開口,其中所述多個開口暴露出所述發光元件;以及
第二降反射層,配置于所述基板上,在所述顯示裝置的俯視圖中,所述第二降反射層至少與所述第一降反射層重疊,
所述發光元件的發光波長不同于所述第二降反射層的吸收波長,所述第一降反射層的吸收波長不同于所述第二降反射層的吸收波長。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一降反射層的顏色包括棕色,所述第二降反射層的顏色包括偏藍色。
3.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,經所述第一降反射層反射的反射光在D65光源條件下的CIE色度坐標(x,y)滿足下述式1與式2:
0.350≦x≦0.400????式1
0.350≦y≦0.400????式2。
4.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,經所述第一降反射層反射且穿透所述第二降反射層的反射光在D65光源條件下的CIE色度坐標(x,y)滿足下述式3與式4:
0.280≦x≦0.350????式3
0.280≦y≦0.350????式4。
5.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第二降反射層的所述吸收波長為590?nm~600?nm,且所述第二降反射層在波長為590?nm~600?nm的光穿透率為0.30以下。
6.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第二降反射層全面性地覆蓋于所述基板上。
7.如權利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,所述第二降反射層包括:
平坦層,配置于所述基板上,且覆蓋所述第一降反射層及所述發光元件;以及
吸收層,配置于所述平坦層上,在所述顯示裝置的俯視圖中,所述吸收層至少與所述第一降反射層重疊。
8.如權利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,所述第二降反射層包括:
平坦層,配置于所述基板上,且覆蓋所述第一降反射層及所述發光元件;以及
吸收粒子,分散于所述平坦層中。
9.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一降反射層自所述基板側依序包括第一介電層、光阻層以及第二介電層,所述第二介電層共形地覆蓋所述光阻層。
10.如權利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一介電層與所述第二介電層的材料為氮化硅,所述光阻層的材料為正型光阻。
11.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,更包括:
多個接墊圖案,陣列排列于所述基板上,所述第一降反射層的所述多個開口的其中一者暴露出至少一所述接墊圖案,且所述接墊圖案與所述發光元件電性連接,其中
所述多個開口的所述其中一者沿著所述第二方向延伸的一側壁與被暴露的所述接墊圖案沿著所述第二方向延伸的一側面之間的距離為10±3%?μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





