[發明專利]一種采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法

在審

• 申請號: 202110992690.3
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113707764A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 林錦山;廖培燦;黃天福
• 申請（專利權）人: 福建金石能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10;C30B33/00;C23C16/24;C23C16/04
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 張磊

本發明涉及一種采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，它包括如下步驟，步驟A，對半導體基板進行倒金字塔制絨；步驟B，對經步驟A處理的半導體基板進行表面鈍化。本發明的目的在于提供一種采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其有別于傳統倒金字塔絨面制備方法，提高了制絨效果。

技術領域

本發明涉及一種采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法。

背景技術

在異質結太陽能電池制作的過程中，制絨清洗是必不可少的關鍵步驟之一，制絨可以使電池片表面形成金字塔絨面，達到減少入射光的反射，提升短路電流的目的。

一般的單晶或鑄錠單晶硅片制絨都是在添加劑輔助下，用堿性溶液進行各向異性反應以形成正向金字塔絨面。但正向金字塔絨面在光照非直射或環境光多為散射光時，對光線的吸收率不佳，而且突出的金字塔尖端在后續工藝中容易受到磨損而破壞，導致鈍化失效，PN結受損，影響電池片的良率和效率。

由此，倒金字塔絨面相對于正向金字塔絨面，弱光吸收能力更佳，內陷的絨面也較不易受到后續工藝的破壞。目前大多數倒金字塔絨面的制備都是采用金屬離子輔助制絨形成孔洞后再以堿性溶液進行各向異性反應而形成的。但上述方法對后續硅片的清洗要求較高，容易出現重金屬的污染，影響硅片的表面鈍化；再者，藥液中的重金屬離子，如銀離子、銅離子對環境污染存在隱患，后期對于廢液的處理成本較高，不利于大規模的生產；第三，倒金字塔絨面的大小和均勻性對后續電池制作起關鍵作用，采用金屬離子輔助制絨往往無法均勻地控制絨面的大小。

發明內容

本發明的目的在于提供一種采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其有別于傳統倒金字塔絨面制備方法，提高了制絨效果。

本發明的目的通過如下技術方案實現：

一種采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，它包括如下步驟，

步驟A，對半導體基板進行倒金字塔制絨；

步驟B，對經步驟A處理的半導體基板進行表面鈍化。

較之現有技術而言，本發明的優點在于：

(1)利用第一遮掩結構的網孔大小，可以均勻地控制倒金字塔的尺寸，有利于實驗設計和生產要求；

(2)采用激光蝕刻或等離子蝕刻等干式方法，避免了制程過程中重金屬的污染，有利于后續的鈍化和效率提升；

(3)利用第二遮掩結構進行第一次鈍化，先均勻覆蓋倒金字塔凹槽面，再去除第二遮掩結構進行第二次鈍化，有利于鈍化膜層的整體覆蓋在半導體基板的表面，有利于鈍化質量的提升。

附圖說明

圖1是本發明所述第一遮掩結構或第二遮掩結構一種實施例的結構簡圖。

圖2是本發明第一遮掩結構進行激光蝕刻一種實施例的分布示意圖，圖中所示由上至下依次為激光、掩膜板和硅片。

圖3是本發明一種實施例的工藝流程簡圖。

具體實施方式

一種采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，它包括如下步驟，

步驟A，對半導體基板進行倒金字塔制絨；

步驟B，對經步驟A處理的半導體基板進行表面鈍化。

所述步驟B的具體方法為在半導體基板表面放置帶有網孔的第二遮掩結構后進行第一次鈍化膜沉積，然后移除第二遮掩結構進行第二次鈍化膜沉積。所述第一次鈍化膜沉積，可以先覆蓋倒金字塔絨面的凹槽表面，避免全表面膜層鈍化時，倒金字塔絨面的凹槽表面無法均勻覆蓋。

在進行步驟B處理之前，對半導體基板進行酸洗。