[發明專利]一種采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法

在審

• 申請號: 202110992690.3
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113707764A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 林錦山;廖培燦;黃天福
• 申請（專利權）人: 福建金石能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10;C30B33/00;C23C16/24;C23C16/04
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 張磊

1.一種采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：它包括如下步驟，

步驟A，對半導體基板進行倒金字塔制絨；

步驟B，對經步驟A處理的半導體基板進行表面鈍化。

2.根據權利要求1所述的采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述步驟B的具體方法為在半導體基板表面放置帶有網孔的第二遮掩結構后進行第一次鈍化膜沉積，然后移除第二遮掩結構進行第二次鈍化膜沉積。

3.根據權利要求2所述的采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：在進行步驟B處理之前，對半導體基板進行酸洗。

4.根據權利要求2所述的采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第二遮掩結構為網孔大小與倒金字塔絨面個體大小相適應且網孔分布均勻的網狀掩膜板。

5.根據權利要求1所述的采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第一次鈍化膜沉積和第二次鈍化膜沉積均為非晶硅薄膜或二氧化硅薄膜沉積。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述步驟A的具體方法為在半導體基板表面放置帶有網孔的第一遮掩結構后進行蝕刻，然后移除第一遮掩結構進行制絨。

7.根據權利要求6所述的采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述步驟A的具體工序為，

a1，在半導體基板表面放置第一遮掩結構；

a2，在第一遮掩結構的保護下，對半導體基板表面進行激光蝕刻處理或等離子蝕刻處理，形成均勻分布在半導體基板表面的孔洞；

a3，移除第一遮掩結構，對半導體基板進行制絨處理，形成倒金字塔絨面。

8.根據權利要求6所述的采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第一遮掩結構為可耐激光或等離子蝕刻且網孔分布均勻的網狀掩膜板。

9.根據權利要求8所述的采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第一遮掩結構的網孔截面為正方形，邊長為1um-1mm；所述第一遮掩結構的網孔截面為圓形，直徑為1um-1mm。

10.根據權利要求7-9任意一項所述的采用倒金字塔絨面的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述步驟a3的具體方法為，移除第一遮掩結構，對半導體基板表面進行清洗去除蝕刻后殘留的物質，然后進行制絨處理，形成倒金字塔絨面。