[發(fā)明專利]微機電系統(tǒng)封裝件及其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110991705.4 | 申請日: | 2021-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN114162777A | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝宗霖;毛威智;蔡尚穎;張貴松;鄭鈞文 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微機 系統(tǒng) 封裝 及其 形成 方法 | ||
本公開的各種實施例針對包括引線鍵合阻尼器的微機電系統(tǒng)封裝件。殼體結(jié)構(gòu)位于支撐襯底上,并且微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)位于支撐襯底和殼體結(jié)構(gòu)之間。微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)包括錨固件、彈簧和可移動塊。彈簧從錨固件延伸到可移動塊,以將可移動塊懸掛在支撐襯底和殼體結(jié)構(gòu)之間的腔體中并允許其移動。引線鍵合阻尼器位于可移動塊上或可移動塊周圍的結(jié)構(gòu)上。例如,引線鍵合阻尼器可以位于可移動塊的頂面上。作為另一示例,引線鍵合阻尼器可以位于支撐襯底上,橫向介于錨固件和可移動塊之間。此外,引線鍵合阻尼器包括通過引線鍵合形成并且被配置為抑制對可移動塊的沖擊的引線。本發(fā)明的實施例還涉及用于形成微機電系統(tǒng)封裝件的方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施例涉及微機電系統(tǒng)封裝件及其形成方法。
背景技術(shù)
微機電系統(tǒng)(MEMS)器件是集成機械和電組件以感測物理量和/或作用于周圍環(huán)境的微觀器件。近年來,MEMS器件已經(jīng)變得越來越普遍。例如,MEMS加速度計通常用于安全氣囊部署系統(tǒng)、平板電腦和智能手機等設(shè)備中。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實施例,提供了一種微機電系統(tǒng)封裝件,包括:支撐襯底;殼體結(jié)構(gòu),位于支撐襯底上;微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu),介于支撐襯底和殼體結(jié)構(gòu)之間,其中,微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)包括被配置為在介于支撐襯底和殼體結(jié)構(gòu)之間的腔體內(nèi)移動的可移動塊;以及第一引線鍵合阻尼器,位于腔體中并且被配置為抑制對可移動塊的沖擊,其中,第一引線鍵合阻尼器包括延伸越過支撐襯底的頂面的第一引線。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,還提供了一種微機電系統(tǒng)封裝件,包括:支撐襯底;殼體結(jié)構(gòu),位于支撐襯底上;微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu),介于支撐襯底和殼體結(jié)構(gòu)之間,其中,微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)包括可移動塊、錨固件和彈簧,其中,錨固件圍繞可移動塊,其中,彈簧從錨固件延伸到可移動塊以將可移動塊懸掛在介于支撐襯底和殼體結(jié)構(gòu)之間的腔體中,并且其中,可移動塊被配置為在腔體中移動;以及多個平面外引線鍵合阻尼器,位于可移動塊上,其中,平面外引線鍵合阻尼器分別在可移動塊的角部處從可移動塊的頂面向上延伸。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,還提供了一種用于形成微機電系統(tǒng)封裝件的方法,其中,方法包括:將支撐襯底安裝在封裝襯底上;將微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)安裝在支撐襯底上,其中,微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)包括被配置為在支撐襯底上方移動的可移動塊;執(zhí)行一個或多個引線鍵合工藝,以在可移動塊的一側(cè)處在支撐襯底上形成平面內(nèi)引線鍵合阻尼器和/或在可移動塊的頂面上形成平面外引線鍵合阻尼器;以及將殼體結(jié)構(gòu)安裝到封裝襯底上,其中,殼體結(jié)構(gòu)覆蓋并圍繞微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時,根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該注意,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐,各個部件未按比率繪制。實際上,為了清楚的討論,各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。
圖1提供包括平面外(OoP)引線鍵合阻尼器的微機電系統(tǒng)(MEMS)封裝件的一些實施例的截面圖。
圖2提供圖1的其中OoP引線鍵合阻尼器正在吸收沖擊的MEMS封裝件的一些實施例的截面圖。
圖3提供圖1的OoP引線鍵合阻尼器的一些實施例的立體圖。
圖4提供圖1的其中OoP引線鍵合阻尼器的OoP阻尼器引線為帶狀的MEMS封裝件的一些替代實施例的截面圖。
圖5提供圖4的OoP引線鍵合阻尼器的一些實施例的立體圖。
圖6提供圖1的其中OoP引線鍵合阻尼器為多級阻尼器的MEMS封裝件的一些替代實施例的截面圖。
圖7A和圖7B提供圖6的其中OoP引線鍵合阻尼器在OoP引線鍵合阻尼器的多個不同級吸收沖擊的MEMS封裝件的一些實施例的截面圖。
圖8提供圖6的其中環(huán)氧樹脂層圍繞OoP引線鍵合阻尼器的OoP引線鍵合阻尼器的一些替代實施例的截面圖。
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