[發明專利]多芯片發光二極管封裝結構

在審

• 申請號: 202110990772.4
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN113823730A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 林貞秀;翁明堃
• 申請（專利權）人: 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/54;H01L25/075;H01L33/60
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 謝清萍;張莎莎

1.一種多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，包括：

多個芯片；

一導線架，包括四個承載基板，每一所述承載基板的側邊沿著同一平面向外延伸三個導腳，所述導線架具有一正面及一相對于所述正面的底面，其中多個所述芯片置于所述導線架的所述正面；

一絕緣封裝體，包覆所述導線架，所述絕緣封裝體具有一凹陷狀的反射部；以及

一透光充填料，填覆于所述反射部；

其中所述導線架的多個所述導腳外露于所述絕緣封裝體，其中所述絕緣封裝體的每一側外露有三個所述導腳并且其中二個所述導腳具有相同極性。

2.如權利要求1所述的多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，所述反射部具有二組相對的弧面彼此連接形成四個交叉點，其中四個所述弧面的弧半徑彼此相等并且不位于同一圓心。

3.如權利要求2所述的多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，三個所述交叉點各形成一導圓角，其中一個所述交叉點具有一極性辨識結構。

4.如權利要求2所述的多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，所述絕緣封裝體呈正方形，四個所述弧面的圓心分別位于所述絕緣封裝體的四個邊的中間，所述弧半徑小于所述絕緣封裝體的邊長。

5.如權利要求2所述的多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，所述絕緣封裝體由所述反射部延伸至四個所述交叉點與四個所述承載基板的所述正面處而形成有包覆延伸結構。

6.如權利要求1-5所述的多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，所述絕緣封裝體由所述反射部的外側延伸至四個所述承載基板的底面周圍而形成周圍延伸部。

7.如權利要求1-5所述的多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，每一個所述承載基板連接有一個斜向連接架橋，並且連接有兩個第一連接架橋或兩個第二連接架橋外露于所述絕緣封裝體外，所述第一連接架橋或所述第二連接架橋的厚度都小于所述承載基板的厚度。

8.如權利要求1-5所述的多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，每一所述承載基板的一外側角落各形成一半盲凹陷部。

9.如權利要求8所述的多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，所述半盲凹陷部由所述承載基板正面的角落朝向所述承載基板的中心凹陷地延伸，每一所述半盲凹陷部占有所述承載基板的四分之一的面積。

10.如權利要求1-5所述的多芯片發光二極管封裝結構，其特征在于，其中四個所述承載基板之間形成十字狀的分隔通道，每一所述承載基板靠近所述底面的內側邊沿著所述分隔通道各形成一半盲階梯結構，所述絕緣封裝體于兩個相鄰的所述半盲階梯結構之間充填形成一絕緣分隔部。