[發(fā)明專(zhuān)利]一種VPP端口的復(fù)用電路及VPP端口可復(fù)用的芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110989415.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113659978B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張兵;王銘義;杜立杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海芯圣電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03K19/0185 | 分類(lèi)號(hào): | H03K19/0185;G06F13/40 |
| 代理公司: | 成都頂峰專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 楊國(guó)瑞 |
| 地址: | 200000 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 vpp 端口 用電 可復(fù)用 芯片 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種VPP端口的復(fù)用電路及VPP端口可復(fù)用的芯片,其中,復(fù)用電路包括第一PMOS管、電壓選擇電路以及PMOS管控制電路單元;電壓選擇電路的輸入端分別電連接芯片的VDD端以及VPP端,電壓選擇電路的輸出端分別電連接第一PMOS管的襯底端以及PMOS管控制電路單元的電壓端;第一PMOS管的漏極電連接VDD端,第一PMOS管的源極電連接VPP端;PMOS管控制電路單元的輸入端電連接芯片的使能端,PMOS管控制電路單元的輸出端電連接第一PMOS管的柵極;本發(fā)明在VPP端增加了PMOS管,使其在非燒錄時(shí)具備推挽輸出或輸出拉電流功能,從而與普通IO功能相兼容,可被復(fù)用,且同時(shí)在燒錄時(shí)還不會(huì)引起VPP高壓對(duì)芯片系統(tǒng)電源VDD的影響,提高了芯片的擴(kuò)展應(yīng)用范圍。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種VPP端口的復(fù)用電路及VPP端口可復(fù)用的芯片。
背景技術(shù)
目前,MCU(Microcontroller Unit,微控制單元)芯片通常都具備OTP(OneTimeProgrammable)寄存器,以實(shí)現(xiàn)程序的燒錄;因而,大多芯片都具有VPP(Voltage Peak-Peak,峰峰值)端口;但是,在現(xiàn)有的VPP端口設(shè)計(jì)中,其不具備拉電流輸出和輸出高電平的能力,即其不支持推免輸出,其原因?yàn)椋?/p>
在程序燒錄時(shí),需要向VPP端口接入高壓,如果VPP端口有用于輸出拉電流或輸出高電平的PMOS管,則會(huì)導(dǎo)致高壓灌到芯片的供電電源VDD(Voltage Drain Drain,電源電壓)上,從而影響芯片的正常工作;因此,現(xiàn)有的VPP端口一般不設(shè)有輸出拉電流的PMOS管;由此,則會(huì)導(dǎo)致帶有VPP端口的MCU芯片中,總有一個(gè)端口不兼具其它端口功能;如6腳的封裝,除去VDD與GND引腳外,僅剩3個(gè)IO端口可做推挽輸出,這就大大的限制了芯片的管腳復(fù)用功能;因此,如何實(shí)現(xiàn)VPP端口的復(fù)用功能,成為一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種VPP端口的復(fù)用電路及VPP端口可復(fù)用的芯片,以解決現(xiàn)有現(xiàn)有芯片的VPP端口無(wú)法支持推免輸出的問(wèn)題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供了一種VPP端口的復(fù)用電路,包括:第一PMOS管、電壓選擇電路以及PMOS管控制電路單元;
所述電壓選擇電路的輸入端分別電連接芯片的VDD端以及VPP端,所述電壓選擇電路的輸出端分別電連接所述第一PMOS管的襯底端以及所述PMOS管控制電路單元的電壓端,用于選擇VDD端以及VPP端之間較大的電壓作為輸出電壓;
所述第一PMOS管的漏極電連接所述VDD端,所述第一PMOS管的源極電連接所述VPP端;
所述PMOS管控制電路單元的輸入端電連接芯片的使能端,所述PMOS管控制電路單元的輸出端電連接所述第一PMOS管的柵極,用于根據(jù)所述使能端輸出的電平信號(hào),導(dǎo)通或截止所述第一PMOS管,其中,當(dāng)所述芯片的使能端輸出低電平時(shí),所述第一PMOS管的柵極電壓等于所述VPP端的電壓,以關(guān)斷所述第一PMOS管。
基于上述公開(kāi)的內(nèi)容,本發(fā)明通過(guò)在VPP端口上設(shè)置一個(gè)PMOS管,以便利用第一PMOS管輸出高電平以及拉電流;同時(shí),還設(shè)置有電壓選擇電路以及PMOS管控制電路單元,從而來(lái)控制第一PMOS管的導(dǎo)通與截止,從而在VPP端口接入高壓時(shí),完全關(guān)斷第一PMOS管,阻斷VPP端口高壓對(duì)芯片供電電源VDD的影響。
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