[發明專利]一種VPP端口的復用電路及VPP端口可復用的芯片

有效

• 申請號: 202110989415.6
• 申請日: 2021-08-26
• 公開（公告）號: CN113659978B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 張兵;王銘義;杜立杰
• 申請（專利權）人: 上海芯圣電子股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;G06F13/40
• 代理公司: 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224
• 代理人: 楊國瑞

1.一種VPP端口的復用電路，其特征在于，包括：第一PMOS管(Q1)、電壓選擇電路以及PMOS管控制電路單元；

所述電壓選擇電路的輸入端分別電連接芯片的VDD端以及VPP端，所述電壓選擇電路的輸出端分別電連接所述第一PMOS管(Q1)的襯底端以及所述PMOS管控制電路單元的電壓端，用于選擇VDD端以及VPP端之間較大的電壓作為輸出電壓；

所述第一PMOS管(Q1)的漏極電連接所述VDD端，所述第一PMOS管(Q1)的源極電連接所述VPP端；

所述PMOS管控制電路單元的輸入端電連接芯片的使能端，所述PMOS管控制電路單元的輸出端電連接所述第一PMOS管(Q1)的柵極，用于根據所述使能端輸出的電平信號，導通或截止所述第一PMOS管(Q1)，其中，當所述芯片的使能端輸出低電平時，所述第一PMOS管(Q1)的柵極電壓等于所述VPP端的電壓，以關斷所述第一PMOS管(Q1)；

所述使能端包括第一使能管腳以及第二使能管腳；

其中，所述PMOS管控制電路單元包括第一或非門(B1)、第一電平轉換電路、第一電平反相電路以及第二電平反相電路；

所述第一電平反相電路的輸入端電連接所述第一使能管腳，所述第一電平反相電路的輸出端電連接所述第一或非門(B1)的第一輸入端，所述第一或非門(B1)的第二輸入端電連接所述第二使能管腳；

所述第一或非門(B1)的輸出端通過所述電平轉換電路電連接所述第二電平反相電路的輸入端，所述第二電平反相電路的輸出端電連接所述第一PMOS管(Q1)的柵極，且所述第二電平反相電路的電壓端電連接所述電壓選擇電路的輸出端。

2.如權利要求1所述的一種VPP端口的復用電路，其特征在于，所述第一電平反相電路包括第一反相器(A1)，所述第二電平反相電路包括第二反相器(A2)。

3.如權利要求1所述的一種VPP端口的復用電路，其特征在于，所述電壓選擇電路包括：第二PMOS管(Q2)以及第三PMOS管(Q3)；

所述第二PMOS管(Q2)的柵極電連接所述VPP端，所述第二PMOS管(Q2)的漏極電連接所述VDD端，所述第二PMOS管(Q2)的源極電連接所述第三PMOS管(Q3)的源極；

所述第三PMOS管(Q3)的柵極電連接所述VDD端，所述第三PMOS管的漏極電連接所述VPP端。

4.如權利要求1所述的一種VPP端口的復用電路，其特征在于，所述復用電路還包括：開漏輸出控制電路，其中，所述開漏輸出控制電路的輸入端電連接所述使能端，用于在所述VPP端的電壓小于所述VDD端的電壓時，根據所述使能端輸出的電平信號，使所述VPP端實現開漏輸出。

5.如權利要求4所述的一種VPP端口的復用電路，其特征在于，所述開漏輸出控制電路包括：NMOS管(Q4)以及NMOS管控制電路；

所述NMOS管(Q4)的漏極電連接所述VPP端，所述NMOS管(Q4)的源極接地；

所述NMOS管控制電路的輸入端電連接所述使能端，所述NMOS管控制電路的輸出端電連接所述NMOS管(Q4)的柵極，其中，當所述使能端輸出高電平時，所述NMOS管(Q4)的柵極電壓等于所述VDD端的電壓，以打開所述NMOS管(Q4)，實現所述VPP端的開漏輸出。

6.如權利要求5所述的一種VPP端口的復用電路，其特征在于，所述使能端還包括：第三使能管腳以及第四使能管腳，其中，所述NMOS管控制電路包括第二或非門(B2)、第二電平轉換電路以及第三反相器(A3)；

所述第二或非門(B2)的第一輸入端電連接所述第三使能管腳，所述第二或非門(B2)的第二輸入端電連接所述第四使能管腳；

所述第二或非門(B2)的輸出端通過所述第二電平轉換電路電連接所述第三反相器(A3)的輸入端，所述第三反相器(A3)的輸出端電連接所述NMOS管(Q4)的柵極，且所述第三反相器(A3)的電壓端電連接所述電壓選擇電路的輸出端。

7.一種VPP端口可復用的芯片，其特征在于，所述芯片的VPP端上連接有權利要求1～6任意一項所述的VPP端口的復用電路。