[發明專利]一種顯示面板、制作方法以及投影儀

在審

• 申請號: 202110987390.6
• 申請日: 2021-08-26
• 公開（公告）號: CN113703219A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 劉桐;龐魯;王超;王振;常志強;黨少聰;穆世杰;董興;白強強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G03B21/00
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

1.一種顯示面板，應用于投影儀，其特征在于：所述顯示面板包括：光源、依次設置在光源出光側的彩膜基板、液晶層以及陣列基板；其中，

所述陣列基板包括第一襯底以及設置在第一襯底朝向所述光源一側的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括溝道區；

所述彩膜基板包括第二襯底以及設置在第二襯底背離所述光源一側上的黑矩陣，所述黑矩陣與所述溝道區對應設置，用于遮擋所述光源出射的光照射到所述溝道區。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述黑矩陣在所述第二襯底上的投影覆蓋對應的所述溝道區在所述第二襯底上的投影。

3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：位于溝道區兩側的第一摻雜區和第二摻雜區；

所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的離子摻雜濃度被設置為使得所述薄膜晶體管的漏電流降低至預設允許范圍。

4.根據權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的離子摻雜濃度為4e⁺¹⁴～6e⁺¹⁴cm^-3。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的顯示面板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：位于所述第一摻雜區和所述溝道區之間的第一過渡區以及位于所述第二摻雜區和所述溝道區之間的第二過渡區；

所述第一過渡區和所述第二過渡區的離子摻雜濃度分別小于所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的離子摻雜濃度。

6.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一過渡區和所述第二過渡區的離子摻雜濃度設置為3e⁺¹³～5e⁺¹³cm^-3。

7.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述漏電流的預設允許范圍為10^-14～10^-12A。

8.一種制作顯示面板的方法，其特征在于，包括：

形成陣列基板，所述陣列基板包括第一襯底以及設置在第一襯底朝向所述光源一側的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括溝道區；

形成彩膜基板，所述彩膜基板包括第二襯底以及設置在第二襯底背離所述光源一側上的黑矩陣，所述黑矩陣與所述溝道區對應設置，用于遮擋所述光源出射的光照射到所述溝道區；

利用對盒工藝，將所述液晶層封裝在所述陣列基板和所述彩膜基板之間；

將所述彩膜基板設置在所述光源出光側。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成陣列基板進一步包括：

在第一襯底上形成有源材料層；

對所述有源材料層的第一部分和第二部分進行第一離子注入，從而形成第一摻雜區和第二摻雜區，其中所述溝道區形成在所述第一摻雜區和第二摻雜區之間，其中所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的離子摻雜濃度被設置為使得所述薄膜晶體管的漏電流降低至預設允許范圍。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成陣列基板進一步包括：

在所述第一摻雜區和所述溝道區之間以及所述第二摻雜區和所述溝道區之間進行第二離子注入，分別形成第一過渡區和第二過渡區，其中，所述第一過渡區和所述第二過渡區的離子摻雜濃度分別小于所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的離子摻雜濃度。