[發明專利]半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202110984595.9
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113707641B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 張永會
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 宋興;劉芳

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：襯底和位于所述襯底上的介質層；

所述介質層中設有刻蝕停止層和位于所述刻蝕停止層上的第一金屬層，所述第一金屬層至少包裹所述刻蝕停止層的側壁；

所述襯底背離所述介質層的一側設有通孔，所述通孔中填充有導電體，所述導電體貫穿所述通孔的底部與所述第一金屬層電導通。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一金屬層具有包裹所述刻蝕停止層的周向側壁的第一延伸部。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一金屬層還包括第二延伸部，所述第二延伸部位于所述刻蝕停止層的背離所述通孔的一側，所述第一延伸部連接于所述第二延伸部的側方邊緣。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第二延伸部覆蓋所述刻蝕停止層。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述通孔包括開孔和阻擋層，所述阻擋層至少覆蓋所述開孔的周向側壁，且所述阻擋層設置在所述導電體和所述開孔的周向側壁之間。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述介質層中沿豎直方向還嵌設有至少一層第二金屬層，所述第二金屬層與所述第一金屬層之間電導通。

7.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供前端器件，所述前端器件包括襯底和位于所述襯底上的介質層，所述介質層中嵌設有刻蝕停止層和位于所述刻蝕停止層上的第一金屬層，所述第一金屬層至少包裹所述刻蝕停止層的側壁；

在所述襯底背離所述介質層的一側形成通孔；

在所述通孔中形成導電體，所述導電體貫穿所述通孔的底部并與所述第一金屬層電導通。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，提供前端器件，所述前端器件包括襯底和位于所述襯底上的介質層，所述介質層中嵌設有刻蝕停止層和位于所述刻蝕停止層上的第一金屬層，所述第一金屬層至少包裹所述刻蝕停止層的側壁，具體步驟包括：

提供襯底；

在襯底上形成介質層；

在所述介質層上形成凹槽；

在所述介質層以及所述凹槽中形成初始刻蝕停止層，所述初始刻蝕停止層的厚度小于或等于所述凹槽的深度；

在所述凹槽對應的部分所述初始刻蝕停止層上形成第一掩膜層；

以所述第一掩膜層為掩膜，去除所述介質層上以及所述凹槽內的部分所述初始刻蝕停止層，保留所述第一掩膜層所覆蓋的所述初始刻蝕停止層，形成刻蝕停止層；

在所述凹槽和所述刻蝕停止層上形成所述第一金屬層。

9.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述襯底背離所述介質層的一側形成通孔；具體包括：

在所述襯底背離所述介質層的一側形成第二掩膜層；

以第二掩膜層為掩膜，去除所述襯底和部分所述介質層，形成開孔以暴露所述刻蝕停止層；

形成至少覆蓋所述開孔的側壁的阻擋層，所述開孔以及覆蓋在所述開孔上的所述阻擋層形成所述通孔。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述通孔中形成導電體，所述導電體貫穿所述通孔的底部并與所述第一金屬層電導通，具體包括：

去除所述開孔所對應的所述刻蝕停止層，以形成暴露所述第一金屬層的通孔；

在暴露所述第一金屬層的所述通孔中形成導電體，以使所述導電體與所述第一金屬層連接。

11.根據權利要求10所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述刻蝕停止層為非導電材料形成。

12.根據權利要求11所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述刻蝕停止層為氮化硅層。