[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110984437.3
• 申請(qǐng)日: 2021-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN113707602B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李婷;周厚宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/528;H10B12/00
• 代理公司: 北京名華博信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11453
• 代理人: 魯盛楠

本公開提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括，提供基底，基底包括介質(zhì)層以及間隔設(shè)置于介質(zhì)層中的焊盤；形成介電結(jié)構(gòu)，介電結(jié)構(gòu)暴露出焊盤以及部分介質(zhì)層；形成絕緣結(jié)構(gòu)，絕緣結(jié)構(gòu)形成于介電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，絕緣結(jié)構(gòu)覆蓋介電結(jié)構(gòu)的第一部分側(cè)壁，介電結(jié)構(gòu)的第二部分側(cè)壁與絕緣結(jié)構(gòu)之間形成空氣隙；形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)覆蓋暴露出的焊盤，以及絕緣結(jié)構(gòu)的部分外側(cè)壁面。在本公開中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中相鄰的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被介電結(jié)構(gòu)、絕緣結(jié)構(gòu)以及空氣隙隔開，空氣隙的存在降低導(dǎo)電結(jié)構(gòu)間的寄生電容。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著集成電路的集成度不斷提高，晶體管的特征尺寸不斷縮小，互連引線之間的間距減小，互連引線間的寄生電容與互連引線之間的間距成反比，互連引線之間的寄生電容增大，導(dǎo)致后段互連結(jié)構(gòu)的電阻電容(Resistor Capacitor，RC)延遲呈現(xiàn)顯著增加的趨勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容

以下是對(duì)本公開詳細(xì)描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

本公開提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

本公開的第一方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，所述形成方法包括：

提供基底，所述基底包括介質(zhì)層以及間隔設(shè)置于所述介質(zhì)層中的焊盤；

形成介電結(jié)構(gòu)，所述介電結(jié)構(gòu)暴露出所述焊盤以及部分所述介質(zhì)層；

形成絕緣結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)形成于所述介電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，所述絕緣結(jié)構(gòu)覆蓋所述介電結(jié)構(gòu)的第一部分側(cè)壁，所述介電結(jié)構(gòu)的第二部分側(cè)壁與所述絕緣結(jié)構(gòu)之間形成空氣隙；

形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)覆蓋暴露出的所述焊盤，以及所述絕緣結(jié)構(gòu)的外側(cè)壁面。

本公開的第二方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

基底，所述基底包括介質(zhì)層以及間隔設(shè)置于所述介質(zhì)層中的焊盤；

介電結(jié)構(gòu)，所述介電結(jié)構(gòu)暴露出所述焊盤以及部分所述介質(zhì)層，所述介電結(jié)構(gòu)在所述基底上的投影區(qū)域位于所述介質(zhì)層的區(qū)域內(nèi)，且所述介電結(jié)構(gòu)在所述基底上的投影區(qū)域小于所述介質(zhì)層的區(qū)域；

絕緣結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述介電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，所述絕緣結(jié)構(gòu)覆蓋所述介電結(jié)構(gòu)的第一部分側(cè)壁，所述介電結(jié)構(gòu)的第二部分側(cè)壁與所述絕緣結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有空氣隙；

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)覆蓋暴露出的所述焊盤，以及所述絕緣結(jié)構(gòu)的外側(cè)壁面。

本公開提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中相鄰的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被介電結(jié)構(gòu)、絕緣結(jié)構(gòu)以及空氣隙隔開，空氣隙的存在降低導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的寄生電容。

在閱讀并理解了附圖和詳細(xì)描述后，可以明白其他方面。

附圖說(shuō)明

并入到說(shuō)明書中并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分的附圖示出了本公開的實(shí)施例，并且與描述一起用于解釋本公開實(shí)施例的原理。在這些附圖中，類似的附圖標(biāo)記用于表示類似的要素。下面描述中的附圖是本公開的一些實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖；

圖2是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法中形成絕緣結(jié)構(gòu)的流程圖；

圖3是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法中形成犧牲結(jié)構(gòu)的流程圖；

圖4是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法中去除部分初始絕緣結(jié)構(gòu)的流程圖；