[發明專利]半導體結構的形成方法及半導體結構

有效

• 申請號: 202110984437.3
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113707602B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 李婷;周厚宏
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528;H10B12/00
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 魯盛楠

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，所述半導體結構的形成方法包括：

提供基底，所述基底包括介質層以及間隔設置于所述介質層中的焊盤；

形成介電結構，所述介電結構暴露出所述焊盤以及部分所述介質層；

形成絕緣結構，所述絕緣結構形成于所述介電結構的側壁，所述絕緣結構覆蓋所述介電結構的第一部分側壁，所述介電結構的第二部分側壁與所述絕緣結構之間形成空氣隙；

形成導電結構，所述導電結構覆蓋暴露出的所述焊盤，以及所述絕緣結構的外側壁面。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述形成絕緣結構，包括：

形成犧牲結構，所述犧牲結構覆蓋所述介電結構的第二部分側壁；

形成初始絕緣結構，所述初始絕緣結構覆蓋所述犧牲結構、所述介電結構暴露的第一部分側壁以及暴露出的所述焊盤；

去除所述犧牲結構，在所述初始絕緣結構和所述介電結構之間形成所述空氣隙；

去除部分所述初始絕緣結構，暴露出所述焊盤的頂面以及所述介電結構的頂面，被保留的所述初始絕緣結構形成所述絕緣結構。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述形成犧牲結構，包括：

形成初始犧牲結構，所述初始犧牲結構覆蓋所述介電結構和所述焊盤；

去除部分所述初始犧牲結構，暴露出所述焊盤和部分所述介電結構，被保留的所述初始犧牲結構覆蓋所述介電結構的第二部分側壁形成所述犧牲結構。

4.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述去除所述犧牲結構，包括：

所述犧牲結構的材料包括碳化物，通過含氧等離子體反應刻蝕去除所述犧牲結構。

5.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述去除部分所述初始絕緣結構之前，還包括：

形成輔助結構，所述輔助結構覆蓋所述初始絕緣結構；

所述去除部分所述初始絕緣結構，包括：

去除所述輔助結構以及部分所述初始絕緣結構，暴露出所述焊盤的頂面以及所述介電結構的頂面。

6.根據權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述去除所述輔助結構以及部分所述初始絕緣結構，包括：

刻蝕所述輔助結構，去除部分所述輔助結構，暴露出覆蓋所述焊盤的所述初始絕緣結構以及覆蓋所述介電結構的頂面的所述初始絕緣結構；

刻蝕其余部分所述輔助結構以及暴露出的所述初始絕緣結構，去除所述輔助結構、覆蓋所述焊盤的所述初始絕緣結構以及覆蓋所述介電結構的頂面的所述初始絕緣結構。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述輔助結構的材料與所述初始絕緣結構的材料相同。

8.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述形成介電結構，包括：

形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述基底的頂面；

形成介電層，所述介電層覆蓋所述隔離層的頂面；

形成第一掩膜層，所述第一掩膜層覆蓋所述介電層的部分頂面，所述第一掩膜層在所述基底上的投影區域位于所述介質層的區域內，且所述第一掩膜層在所述基底上的投影區域小于所述介質層的區域；

去除所述第一掩膜層暴露出的所述介電層和所述隔離層，被保留的所述介電層和所述隔離層形成初始介電結構；

去除部分所述初始介電結構，形成所述介電結構。