[發明專利]聲表面波諧振器、其制造方法和無線電電路

在審

• 申請號: 202110982990.3
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN114124019A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 岸田和人;垣尾省司;小川健吾;橫田裕章
• 申請（專利權）人: 株式會社日本制鋼所
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H3/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 馬立榮;李立行

在根據一種實施方式的聲表面波諧振器中，石英晶體基片包括AT切0°X傳播第一石英晶體基片和接合在第一石英晶體基片上的Z切第二石英晶體基片。聲表面波在第二石英晶體基片中的傳播方向從晶體的X軸傾斜27至33°、87至93°、或者147至153°，并且第二石英晶體基片的厚度是聲表面波的波長的0.2倍至1.0倍。

技術領域

本發明涉及一種聲表面波諧振器、其制造方法以及無線電電路。

背景技術

隨著諸如移動電話的移動通信設備的發展，存在提高聲表面波(SAW：SurfaceAcoustic Wave)濾波器性能的要求。在構成這種SAW濾波器的一部分的聲表面波諧振器中，要求例如通過提高機電耦合系數K²來擴寬帶寬，以及降低頻率溫度系數(TCF：TemperatureCoefficient of Frequency)的絕對值。如在未審查的日本專利申請公開號2018-026695、2019-004308和2019-145920中所披露的，本申請的發明人在過去已經開發了壓電晶體基片被接合在石英晶體基片上的聲表面波諧振器。

發明內容

本申請的發明人在具有石英晶體基片的聲表面波諧振器的開發中發現了各種問題。從本說明書的描述和附圖中，要解決的其他問題和新的特征將得以闡明。

在根據一種實施方式的聲表面波諧振器中，石英晶體基片包括AT切0°X傳播第一石英晶體基片和接合在第一石英晶體基片上的Z切第二石英晶體基片。聲表面波在第二石英晶體基片中的傳播方向從晶體的X軸傾斜27至33°、87至93°、或147至153°，并且第二石英晶體基片的厚度是聲表面波的波長的0.2至1.0倍。

根據該實施方式，能夠提供一種優異的聲表面波諧振器。

從下文給出的詳細描述和僅以說明方式給出的附圖中，本公開內容的上述目的和其他目的、以及其特征和優點將得以更充分地被理解，并且，因此這些內容不應被認為是限制本公開內容。

附圖說明

圖1是示出使用根據第一實施方式的聲表面波諧振器的無線電電路的構造的示例的框圖；

圖2是示出根據第一實施方式的聲表面波諧振器的構造的示例的透視圖；

圖3是示出機電耦合系數K²相對于聲表面波在接合到AT切0°X傳播石英晶體基片QS1的Z切石英晶體基片QS2中的傳播角的變化的曲線圖；

圖4是示出聲表面波的機電耦合系數K²相對于接合到AT切0°X傳播石英晶體基片QS1的Z切石英晶體基片QS2的歸一化板厚度的變化的曲線圖；

圖5是示出聲表面波的相速度相對于接合到AT切0°X傳播石英晶體基片QS1的Z切石英晶體基片QS2的歸一化板厚度的變化的曲線圖；

圖6是示出對根據第一實施方式的聲表面波諧振器的仿真的諧振特性分析的結果的曲線圖；

圖7是示出聲表面波的頻率溫度系數(TCF)相對于接合到AT切0°X傳播石英晶體基片QS1的Z切30°X傳播石英晶體基片QS2的歸一化板厚度的變化的曲線圖；

圖8是示出根據第二實施方式的聲表面波諧振器的構造的示例的透視圖；

圖9是示出聲表面波的TCF相對于接合到石英晶體基片QS的LN基片LNS的歸一化板厚度的變化的曲線圖；

圖10是示出聲表面波的機電耦合系數K²相對于接合到石英晶體基片QS的LN基片LNS的歸一化板厚度的變化的曲線圖；

圖11是示出聲表面波的相速度相對于接合到石英晶體基片QS的LN基片LNS的歸一化板厚度的變化的曲線圖；以及

圖12是示出根據第三實施方式的聲表面波諧振器的構造的示例的局部剖視圖。