[發(fā)明專利]聲表面波諧振器、其制造方法和無線電電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110982990.3
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN114124019A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 岸田和人;垣尾省司;小川健吾;橫田裕章
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日本制鋼所
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H3/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 馬立榮;李立行

1.一種聲表面波諧振器，包括：

石英晶體基片；和

IDT電極，所述IDT電極形成于所述石英晶體基片上，其中

所述石英晶體基片包括：

AT切0°X傳播第一石英晶體基片；和

接合在所述第一石英晶體基片上的Z切第二石英晶體基片，聲表面波在第二石英晶體基片中的傳播方向從晶體的X軸傾斜27至33°、87至93°、或者147至153°，并且

所述第二石英晶體基片的厚度是聲表面波的波長的0.2倍至1.0倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波諧振器，其中，所述第二石英晶體基片的厚度是所述波長的0.35倍至0.55倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波諧振器，其中，所述聲表面波諧振器還包括接合到所述第二石英晶體基片的5～64°Y切X傳播LiNbO₃基片，其中，

所述IDT電極形成于所述LiNbO₃基片上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲表面波諧振器，其中，所述LiNbO₃基片的厚度是所述波長的0.1倍至0.7倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波諧振器，其中，所述第二石英晶體基片和所述IDT電極被介電膜覆蓋，所述介電膜具有的頻率溫度系數(shù)為負值。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲表面波諧振器，其中，所述介電膜為Al₂O₃膜。

7.一種用于制造聲表面波諧振器的方法，包括以下步驟：

(a)將Z切第二石英晶體基片接合在AT切0°X傳播第一石英晶體基片上；和

(b)在所述第二石英晶體基片上形成IDT電極，其中

聲表面波在所述第二石英晶體基片中的傳播方向從晶體的X軸傾斜27至33°、87至93°、或者147至153°，并且

所述第二石英晶體基片的厚度是聲表面波的波長的0.2倍至1.0倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造聲表面波諧振器的方法，其中，所述第二石英晶體基片的厚度是所述波長的0.35倍至0.55倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的用于制造聲表面波諧振器的方法，其中，所述方法還包括：在步驟(a)和(b)之間，在所述第二石英晶體基片上接合5～64°Y切X傳播LiNbO₃基片的步驟，其中

在步驟(b)中，在所述LiNbO₃基片上形成所述IDT電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造聲表面波諧振器的方法，其中，所述LiNbO₃基片的厚度是所述波長的0.1倍至0.7倍。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造聲表面波諧振器的方法，其中，方法還包括：在步驟(b)之后，以介電膜覆蓋所述第二石英晶體基片和所述IDT電極的步驟，所述介電膜具有的頻率溫度系數(shù)為負值。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于制造聲表面波諧振器的方法，其中，所述介電膜為Al₂O₃膜。

13.一種無線電電路，包括：

第一放大器，其被構(gòu)造為能夠放大通過天線無線接收的接收射頻信號；

第二放大器，其被構(gòu)造為能夠放大待從所述天線無線傳輸?shù)膫鬏斏漕l信號；

接收射頻濾波器，由所述第一放大器放大的接收射頻信號通過所述接收射頻濾波器；以及

傳輸射頻濾波器，待輸入到所述第二放大器的傳輸射頻信號通過所述傳輸射頻濾波器，其中

所述接收射頻濾波器和所述傳輸射頻濾波器中的至少一者包括聲表面波諧振器，所述聲表面波諧振器包括：

石英晶體基片；和

形成于所述石英晶體基片上的IDT電極，

所述石英晶體基片包括：

AT切0°X傳播第一石英晶體基片；和

接合在所述第一石英晶體基片上的Z切第二石英晶體基片，聲表面波在所述第二石英晶體基片中的傳播方向從晶體的X軸傾斜27至33°、87至93°、或者147至153°，并且

所述第二石英晶體基片的厚度是聲表面波的波長的0.2倍至1.0倍。